要知道，我国目前的量产光刻机还处于90nm的阶段，比ASML光刻机落后了十多年可见差距之大，也说明我国加强光刻机建设刻不容缓2最近传来的好消息是，光刻机的问题可以得到有效的解决据悉，上海微电子有限公司在紫外；上海企业已经实现14纳米先进工艺规模量产，90纳米光刻机5纳米刻蚀机12英寸大硅片国产CPU5G芯片等实现突破全市集成电路产业规模达到2500亿元，约占全国25%，集聚重点企业超过1000家，吸引了全国40%的集成电路人才；我国光刻机发展还是不错的2020年，“就算给你完整图纸，你也造不出来光刻机”2022年1月，“中国不太可能独立研制出顶级光刻技术，但也不是说绝对不行因为我知道物理定律在中国和这里是一样的，永远不要说永远，他；中国光刻机现在达到了22纳米在上海微电子技术取得突破之前并兆盯，我国国产的光刻机一直停留在只能制造90nm制程的芯片这次我国直接从90nm突破到了22nm也就意味着我国在光刻机制造的一些关键核心领域上已经实现了国产化；中国的光刻机之所以会走向落后，是因为经济发展因素海外企业竞争力过强以及欧美国家对中国进行了技术封锁由于华为遭美国封杀之后，华为的芯片供应也出现了很多的问题，由于芯片的制造离不开光刻机，所以光刻机就成为了网友。

4国际竞争光刻机市场竞争激烈，国内企业需要具备与国外光刻机厂商竞争的实力，包括在性能质量和价格等方面都有竞争力5市场需求光刻机的需求与半导体产业的发展紧密相关如果半导体市场持续增长，国内企业国产化光；我国的光刻机发展已经近到了28纳米的光刻机，可以满足日常的射频芯片，蓝牙芯片以及其他电器中的一些芯片的要求和标准但是相较于芬兰等欧美国家的光刻机芯片，已经达到了个位数的纳米想要在此基础之上超越欧美国家，进入光；国产光刻机90nm蚀刻机达到了5nm水平，光刻机仍然是处于90nm水平，2018年时中科院的“超分辨光刻装备研制”通过验收，它的光刻分辨力达到22nm，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片但是这仅限于实验室阶段；1965年，我国的第1台光刻机是从外国进口的，直到现在为止全国只有两个国家拥有光刻机的高科技手段特别是荷兰的光刻机技术在全球是遥遥领先的，但由于荷兰受到美国的影响，并不愿意把光刻机的相关技术和设备出口给中国。