1、28纳米根据中国人民网显示，2023年中国已经成功研发出国产第一台28纳米nm光刻机，该光刻机预计在年底能够交付使用；目前的技术五纳米能够量产了，两纳米三纳米也应该不长时间就会被攻破根据这个科技的发展规律，三纳米了纳米被攻破之后，一纳米也用不了多久理论上是这样，但是呢这还需要硬件的支持，就是光刻机的精度能做到什么程度或。

2、90纳米 国内光刻机上市第一股的芯碁微装，就是中芯国际投资的，其产品也做到了90纳米这很不容易，因为芯碁微装只是一家私人企业，成立于2015年，所以从人力物力及各种资源上，与国企的上海微电子无法比拟可见中芯；接着往下看光刻机的极限 其实光刻机极限已经快到了，因为硅这种材料的极限在1纳米左右，如果想要超越1nm，那就得换材料了，但是目前地球上已经发现的材料中，没有比硅更适合的了，所以末来十年都很难超越1nm工艺，除非。

3、3纳米根据查询百度百科信息显示，截止2023年10月18日最顶尖的光刻机是ASML的EUV光刻机，其能够制造3纳米的芯片，在ASML的规划中，到2024年或2025年会交付全新一代的HighNA极紫外光刻机；EUV使用了135纳米的极紫外线激光源，比193纳米深紫外线光源的DUV光刻机能力更强纳米符号nm，即为毫微米，是长度度量单位1纳米=10的负9次方米1纳米相当于4倍原子大小，比单个细菌的尺寸还要小得多由于纳米。

4、俄罗斯的光刻机技术目前处于90纳米水平光刻机是半导体制造过程中的核心设备，用于将芯片上的图案转移到硅片上光刻机的精度，通常以纳米为单位进行衡量，决定了晶体管的尺寸，进而影响到芯片的性能俄罗斯在半导体技术领域的；光刻机是用于制造集成电路的关键设备，它可以将芯片设计图案转移到硅片上关于quot2000iquot的具体规格和技术参数，需要具体参考ASML公司发布的官方资料而关于quot多少纳米quot的问题，可能是指该型号的光刻机可以实现的最小特征尺寸。

5、10纳米芯片用1v1v光刻机，光刻机在14纳米以下制程属于高端制程，而10纳米在14纳米以下，需要用的是1v1v光刻机和euv135纳米极紫外光光源光刻机；7纳米全世界只有荷兰能够制造顶级的光刻机，ASML更是步入5纳米的光刻机时代，在荷兰规定可以销售的光刻机中，能够支持7纳米工艺制程。