SanjayNatarajan确认，英特尔4nm光刻机会在2023年出货四纳米光刻机是3D打印机，是首个使用EUV光刻机的工艺，是一款超紧凑超高分辨率交钥匙型3D打印机。

日前，台积电在其官网所披露的二季度财报分析师电话会议材料中，提及4nm工艺的台积电CEO副董事长魏哲家在会上表示，他们将推出4nm工艺，作为5nm工艺家族的延伸4nm工艺将兼容5nm工艺的设计规则，计划在2022年大规模量产。

中国在光刻机制造方面是单干，荷兰阿斯麦光刻机是集中了很多发达国家的技术精华，也不是荷兰一个国家所能，所以中国能自主生产90纳米的光刻机，我认为中国很了不起了，中国加油作为中国人，感觉真的不容易，所以的高科技。

目前，以下国家在4nm光刻机方面具有较先进的技术美国日本德国法国和南韩。

处于技术领先的上海微电子装备有限公司已量产的光刻机中性能最好的是90nm光刻机，制程上的差距就很大，国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口5合肥芯硕半导体有限公司 成立与2006年4月，是国内首家半导体直写光刻设备。

实际上中国能制造光刻机，只是不能制造先进光刻机在2021年的时候，中国就有企业宣布制造出了能生产24nm芯片的光刻机这个水平放到国际上大概是2013年到2015年的水平，而在2021年时国际领先水平是5nm芯片单论先进光刻。

不要老是盯着光刻机，国产芯和美国芯的真正差距还是在专利和标准上！ 许多人认为中国的芯片制造工艺不行，的确目前国产的光刻机只能达到90nm的精确度，国内最好的芯片代工厂中芯国际的工艺水平也只在28nm14nm之间但是芯片厂商完全可以。

中国光刻机历程 1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺清华大学研制第四代分部式投影光刻机，并在1980年获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平而那时，光。

国产光刻机90nm蚀刻机达到了5nm水平，光刻机仍然是处于90nm水平，2018年时中科院的“超分辨光刻装备研制”通过验收，它的光刻分辨力达到22nm，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片但是这仅限于实验室阶段。