节点试图采用CEFT结构，1纳米10_以下计划采用原子形状的沟道，依赖Mo钼W钨X为硫Se硒Te碲等2D材料和HighNA高数值孔径EUV光刻机来实现说到HighNAEU...

6？m到数毫米尺度范围内的传感器微执行器和微系统的研究开发，它以单晶硅为基本材料，以光刻并行制造为主要加工特点，采用微电子工艺设备结合其他特殊工艺设备作为加工手段纳米尺度...

无疑在另一个方向打通中国对芯片研究的道路但无论是芯片的自研还是生产， 光刻机的制造都是中国现在芯片所面临的巨大困难 好消息云南大学找到了芯片“新材料”领先台积电云南大学攻...

1、01nm光刻机意味着不可能首先要知道01nm是多大，1nm大致有4个原子的宽度，01nm就连半个原子都不到了光刻机只是改变芯片的物理结构，不能改变硅原子内部的结构，就...