节点试图采用CEFT结构，1纳米10_以下计划采用原子形状的沟道，依赖Mo钼W钨X为硫Se硒Te碲等2D材料和HighNA高数值孔径EUV光刻机来实现说到HighNAEUV光刻机055NA，一号原型机EXE5000。

光刻机极限是1纳米现有芯片制造的原材料是硅，也就是我们常说的硅芯片一块非常小的芯片实际上整合了数以亿计的晶体管，每个晶体可看作是一个可控的电子开关，晶体管由源极漏极和位于他们之间的栅极所组成，电流从。

28纳米将会是我们国产光刻机的最高工艺水平，严格来说，这个真的算不上高水平，它的前面还有147532，甚至是1nm但是28纳米是成熟工艺，生产成本低，只要不追求极致性能的情况下，这种制程的芯片，其性能也够用。

目前商业化的投影光刻机overlay的精度已经达到了12nm，linewidth可达到510nm，但一般来说这些参数的精度与芯片工艺的要求有关在芯片制造过程中需要仔细把握每一环节，确保芯片制造的精度和可靠性影响光刻机精度的因素 1。

根据太平洋科技网查询显示，1nm光刻机是一种能够实现纳米级精度的光刻技术设备，利用紫外光源和高分辨率投影镜头，将图形模式投射到硅片上，从而制造微电子芯片，意味着一个国家的科技实力已经达到了世界领先水平。

物理极限因为台积电和三星的思路就是把删极做成立体的，这样的话新的技术的极限就只能到1纳米以上了，因为再小就比原子还小了，所以1nm意味着物理极限。