euv和duv相比，euv更先进EUV光刻技术与DUV光刻技术相比较，除了制造成品尺寸的重要不同之外，还考虑到了成本效率和可持续性等方面的因素因此，EUV光刻技术比DUV光刻技术更加先进和高端EUV技术在制造芯片的过程中，可。

euv光刻机原理是接近或接触式光刻通过无限靠近，复制掩模板上的图案直写式光刻是将光束聚焦为一点，通过运动工件台或镜头扫描实现任意图形加工投影式光刻因其高效率无损伤的优点，是集成电路主流光刻技术光刻机Mask。

场内的技术人员向记者透露，他们之所以关闭四台EUV并不是因为电费的原因，而是想将产品进行升级换代，而升级后的EUV将比之前的老产品产生的能量提高到原来的18%左右有专业人士表示，像EUV这种光刻机是属于高密度的机台。

EUVExtreme Ultraviolet光刻机是一种用于制造高端芯片的先进设备与传统光刻机不同的是，EUV光刻机使用的是极紫外光源，具有更短的波长和更高的分辨率，能够制造尺寸更小的芯片，如5nm芯片2 EUV光刻技术的优点 与。

duv和euv光刻机区别光路系统不同发光原理不同制造精度不同1光路系统不同DUV光路主要利用光的折射原理其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nm而干法光刻机则。

SSMB光源的潜在应用之一是将来成为EUV光刻机的光源，这是国际社会高度重视清华大学SSMB研究的重要原因在芯片制造行业，光刻机是必不可少的精密设备，是集成电路芯片制造中最复杂，最关键的工艺步骤，光刻机的曝光分辨率与波长。

EUV光刻技术是当前主流的先进制程技术，使用135nm分辨率的光可以构建更小的单位特征，但面临着成本高昂和物理极限等挑战与之相比，NIL光刻技术具有一些独特的优势，可以作为下一代光刻技术的候选者NIL光刻机相对于EUV。

比利时微电子研究中心装机，2025年后量产，第一台预计交付Intel实际上，ASML的EUV光刻机非常庞大，现售的033NAEUV光刻机拥有超10万零件，需要40个海运集装箱或者4架喷气货机才能一次性运输完成，单价14亿美元左右。