1、不需要EUV光刻机，纳米压印技术可以实现5nm芯片最近的新闻报道称中国芯片制造商成功开发了一项新技术，即NIL纳米压印技术这项技术被认为能够承担起EUV光刻机的工作，并且具有更低的生产成本NILNanoimprint Lithography；据说可以做到5纳米，3纳米正在研发中补充 除尼康外，ASML也是很不错的凭借着台积电的“浸入式光刻技术”方案，ASML成功推出全球首台浸润式微影机，将193mm的光源波长一举缩短至132nm而彼时尼康推出的最新光刻机；其次，实现短距离制程的一个重要工具就是光刻机7纳米制程在制造层面的实现离不开高性能光刻机的运行，而这种精密仪器制造成本高和制造时间长目前世界顶级的光刻机是荷兰的ASML，它几乎垄断了高端领域的光刻机市场，市场；是90纳米查询官网可以知道，如今最先进的光刻机是600系列，光刻机最高的制作工艺可以达到90纳米但是相比于荷兰ASML公司旗下的EUV光刻机，最高可以达到5纳米的工艺制作而且即将推出3纳米工艺制作的芯片但是据相关信息。

2、中国光刻机能产几纳米最新成果展示 据近日消息，中国光刻机取得了重大突破，在芯片制造工艺中实现了更高层次的精度目前，中国光刻机已经实现了可以生产7纳米线宽的水平，并在分辨率和可制造性等方面取得了显著的进步这；2000i光刻机是指ASML公司生产的一款光刻曝光机型号光刻机是用于制造集成电路的关键设备，它可以将芯片设计图案转移到硅片上关于quot2000iquot的具体规格和技术参数，需要具体参考ASML公司发布的官方资料而关于quot多少纳米quot的问题。

3、那么，中国光刻机现在多少纳米中国高端光刻机什么时候能研制出来一中国光刻机现在多少纳米2018年3月，上海微电子的90nm光刻机项目通过正式验收也就是说，我们的国产光刻机目前可以做到90纳米工艺之前有网友爆料；而极紫外光刻机则使用的是极紫外光源，其波长范围在10121纳米之间2深紫外光刻机和极紫外光刻机的曝光分辨率也有所不同由于极紫外光的波长更短，因此其曝光分辨率更高，可以制造出更精细的芯片结构。

4、28纳米根据中国人民网显示，2023年中国已经成功研发出国产第一台28纳米nm光刻机，该光刻机预计在年底能够交付使用。