1、并使用比ASML公司所生产的EUV光刻机使用的极紫外光源波长更短的X射线来研发光刻机可以说日俄所研发的光刻机技术都是要比ASML公司的光刻机技术更加先进的另外，还有台积电三星苹果等芯片厂家也在加快对封装工艺技术；并且卖给中国公司的稍过时的光刻机也有条款不准用于制造像龙心这类自主研发的CPU芯片美国日本在这个领域都力不从心，成都太给力了在技术方面，ASML光刻机可以使用波长为135纳米的极紫外光EUV，实现14纳米10纳米；占据大部分的市场份额对于光刻机来说，光学成像分辨率是其工艺制程的主要决定因素，受到物镜孔径和光源波长的限制，阿斯麦光刻机的紫外光的光源一般是激光器，比如2013年阿斯麦的EUV光刻机研发成功，当时使用的光源是波长为193。

2、我国目前连一台euv光刻机都没有，即使是图纸也没有EUV光刻机是半导体制造中的核心设备，它使用极紫外光技术进行微细加工，能够实现芯片制造的高精度和高速度然而，全球EUV光刻机市场一直被荷兰ASML公司垄断，而中国EUV光；极紫外光刻EUV使用波长更短的激光135nm，相对于深紫外光刻，需要重新研发刻蚀材料光刻胶刻蚀工艺等等，对精度的要求进一步提高，目前只有荷兰ASML一家公司能制造极紫外光刻机而且西方国家对我国的技术打压是；是90纳米查询官网可以知道，如今最先进的光刻机是600系列，光刻机最高的制作工艺可以达到90纳米但是相比于荷兰ASML公司旗下的EUV光刻机，最高可以达到5纳米的工艺制作而且即将推出3纳米工艺制作的芯片但是据相关信息。

3、现在世界上最先进的光刻机是荷兰ASML制造的EUV光刻机，其精度可以达到5nm的等级，其所需零件超过10万个，而且90%以上的零件都需要从很多国家进口以EUV中使用的镜头为例，都是世界一流的镜头制造商蔡司提供的，他们生产的；euv光刻机原理是接近或接触式光刻通过无限靠近，复制掩模板上的图案直写式光刻是将光束聚焦为一点，通过运动工件台或镜头扫描实现任意图形加工投影式光刻因其高效率无损伤的优点，是集成电路主流光刻技术光刻机Mask；前面提到的荷兰ASML公司的极紫外光刻机EUV是现在全球最顶尖的光刻机设备，相较于DUV，它把193nm的短波紫外线替换成了135nm的极紫外线，能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸EUV光刻机的光源来自于美国的Cymer。

4、生产高制程手机芯片时，其他条件光刻胶感光灵敏度光刻机输出功率，芯片产品制程等等相同的情况下，波长更短X射线光刻机的生产效率比EUV光源成倍提高，因为波长较短，加工制程比EUV光刻机基础制程高的芯片需要增加的重复曝光的次数对X。