1、20nm根据西安电子科技大学官网查询显示，西安电子科技大学有nanobeam电子束光刻机设备一台，设备型号为NB5，光刻分辨率为20nm西安电子科技大学简称“西电”，位于陕西省西安市，是中央部属高校，直属于教育部，为全国重点大学。

2、我们也许不知道接触式光刻和深亚微米光源已经达到了小于01 gm的特征尺寸，常用的光源分辨率为05 gm左右接触式光刻机的掩模版包括了要复制到衬底上的所有芯片阵列图形在衬底上涂上光刻胶，并被安装到一个由手动控制。

3、世界的光刻机水平实际上中国能制造光刻机，只是不能制造先进光刻机在2021年的时候，中国就有企业宣布制造出了能生产24nm芯片的光刻机这个水平放到国际上大概是2013年到2015年的水平，而在2021年时国际领先水平是5nm。

4、在自主造芯的浪潮下，国产芯片近两年取得了突飞猛进的发展，中低端芯片的产能良品率都得到了大幅提升遗憾的是， 我们的高端芯片制程突破之路却因为EUV设备的缺失而陷入了瓶颈众所周知，EUV光刻机是高端芯片制造不可。

5、据说可以做到5纳米，3纳米正在研发中补充 除尼康外，ASML也是很不错的凭借着台积电的“浸入式光刻技术”方案，ASML成功推出全球首台浸润式微影机，将193mm的光源波长一举缩短至132nm而彼时尼康推出的最新光刻机。

6、还需要攻克一系列的技术难题退一步讲，就算是中国的光刻机与刻蚀机都达到世界领先就解决问题了么ASML的EUV光刻机我们已经下单等待交货了，是不是到货以后中国就可以生产7nm甚至是5nm的芯片了不要把问题想简单了，以为芯片。

7、只是是否通过验收，到底何时能交付，目前未知28纳米将会是我们国产光刻机的最高工艺水平，严格来说，这个真的算不上高水平，它的前面还有147532，甚至是1nm但是28纳米是成熟工艺，生产成本低，只要不追求极致。

8、目前，全球范围内还没有2nm的光刻机 ，所以想要制造出2nm芯片，只有通过5nm光刻机多次进行刻蚀，不断提高精度才能够完成由于技术复杂程度较高，对于精密度的要求较高，所以每一步的刻蚀都有很大概率失败因此， 以目前。

9、芯研所5月21日消息，最新消息称，荷兰ASML正在研发新款光刻机，价值高达4亿美元约合26亿元人民币，双层巴士大重超200吨原型机预计2023年上半年完工，2025年首次投入使用，2026年到2030年主力出货芯研所采编这款机器。