随后又在8月发布了跟进报道，确认了7nm技术节点属实，并且工艺和台积电的7nm工艺有相似性值得一提的是中芯的7nm制程使用的是DUV光刻机深紫外光7nm也是DUV能维持高良率的极限尽管理论上用多重曝光multiple；duv和euv区别如下目前的光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机DUV是深紫外线Deep Ultraviolet Lithography，EUV是极深紫外线Extreme Ultraviolet Lithography前者采用极紫外光刻技术，后者采用深紫外光刻技术EUV已。

极紫光刻机EUV，135纳米波长光源，深紫光刻机DUV，193纳米波长光源；近日，华为宣布由于收到制裁，芯片停产，而芯片制作工艺中一个不可缺少的就是光刻工艺光刻的原理是在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶，再用光线一般是紫外光深紫外光极紫外光透过掩模照射在硅片表面，被；5纳米5nm光刻机的原意应该是可以实现5纳米制程的光刻机，是EUV极紫外线光刻机EUV使用了135纳米的极紫外线激光源，比193纳米深紫外线光源的DUV光刻机能力更强纳米符号nm，即为毫微米，是长度度量单位1；紫外辐射的波长范围为10纳米至400纳米由于只有波长大于100纳米的紫外辐射，才能在空气中传播，所以人们通常讨论的紫外辐射效应及其应用，只涉及100纳米至400纳米范围内的紫外辐射而光刻机大部分深紫外光波长被控制在100纳米；曝光系统最核心的部件之一是紫外光源常见光源分为紫外光UV，g线436nmi线365nm深紫外光DUV，KrF 准分子激光248 nm， ArF 准分子激光193 nm极紫外光EUV，10 ~ 15 nm对光源系统的要求a有适当。

65nm是一个坎，90nm和65nm都属于深紫外DUV干式光刻机，优于65nm的就是深紫外浸没式光刻机，工件台浸泡在水里，技术革新幅度比较大佳能和尼康就是因为开发这一代产品失败，止步于高端光刻机市场 国产光刻机的下一个目标是28nm；光刻机是集成电路产业的一颗最璀璨的明珠，闪烁着高难问的光辉，如同航空产业的发动机一样，由于技术门槛非常之高，一般人拱不动的，日本由于收购德国亚深，掌握了深紫外光源技术和物镜技术，其尼康和佳能也能做22纳的水平。

3 对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度4 曝光方式分为接触接近式投影式和直写式5 曝光光源波长分为紫外深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等以上就是给各位带来的关于光刻机性能指标是。