我国九十纳米的光刻机,在这个领域水平的应当属于一流水平但是还远远比不上国外的水平,毕竟国外的光刻机能够制作十纳米以内的芯片,而这一年我国目前还是远远无法做到的对此我国也正在努力进行追赶,但是短期之内还暂时无法。
如果说上海微电子的光刻机全球领先,大家都不会相信荷兰ASML最新的光刻机为7nm制程工艺,即将量产5nm,上海微电子最新的量产光刻机是90nm,正在研发65nm光刻机也就是说,我国的光刻机与世界先进水平还有很大的差距 真正的差距在哪。
当前,中国也有了自己制造的光刻机,但是和国外龙头技术水平差距很大上海微电子装备股份有限公司SMEE通过积极研发已实现 90nm 节点光刻机的量产,使用ArF光源,可满足90nm及以上制程国产光刻机正向下一个技术节点寻求。
光刻机国产排名第一的是上海微电子目前全球只有四家能够制造光刻机的公司,分别是荷兰阿斯麦尔日本尼康和佳能中国上海微电子这里说的光刻机指的是euvduv浸润式光刻机所以说,国内仅有一家能够制造光刻机的公司。
上海微电子的确在做可以实现28纳米制程的国产DUV光刻机只是是否通过验收,到底何时能交付,目前未知28纳米将会是我们国产光刻机的最高工艺水平,严格来说,这个真的算不上高水平,它的前面还有147532,甚至是。
中国光刻机产品研究已经达到了“中端水平”国产DUV光刻机产品很快就能成批推出规模采用,据报道上海微电子研发出的28纳米国产光刻机整机已经安排生产,再过一两年一定能用于国产芯片的生产,而且,按中芯国际梁孟松在2020。
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