1、国产芯片水平只能实现90纳米从芯片制造环节看，光刻机蚀刻机晶圆光刻胶等设备和材料占比很大其中光刻机设备，目前上海微电子是90纳米高端的KrF和ArF光刻胶更是几乎依赖...

我国九十纳米的光刻机，在这个领域水平的应当属于一流水平但是还远远比不上国外的水平，毕竟国外的光刻机能够制作十纳米以内的芯片，而这一年我国目前还是远远无法做到的对此我国也正...