过去，中国的光刻机只能达到50纳米的生产精度，然而近年来，把握机遇，大力发展技术，中国光刻机顺利实现了25纳米和18纳米的生产精度，成功将产业链推向更高层面而如今光刻机打破7纳米这一生产极限，是产业竞争最新的战略；国内光刻机技术日渐成熟，并且在半导体光电子等领域得到了广泛应用在国内，ASML等工厂先进的外国光刻机还未被完全引进，因此最精密的国产光刻机就显得非常重要目前，最精密的国产光刻机可以达到8纳米，比上一代光刻机；所以才导致中国在光刻机领域出现了大幅度落后的情况二国外企业的技术优势，使得中国的光刻机处于落后位置由于国外企业在光刻机领域，储备了大量的技术专利，这使得国外企业在进行光刻机生产研发时，总能够最大程度降低；提问者所说的中国光刻机达到世界先进水平，应该是指2018年11月29日通过验收的，由中国科学院光电技术研究所主导经过近七年艰苦攻关研制的“超分辨光刻装备”项目该项目下研制的这台光刻机是“世界上首台分辨力最高的紫。

中国有自己的光刻机，由中国科学院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，这是世界上首台用紫外光实现了22nm分辨率的超分辨光刻装备，为纳米光学加工提供了全新的解决途径在光电所的努。

光刻机是半导体制造中关键的设备，用于制作微小尺寸的芯片中国自2000年代开始投资和发展半导体行业，并在制造工艺芯片设计等方面取得了显著进展中国企业在光刻机领域也有一些研发和生产能力，例如中微半导体华天科技等。

中国有光刻机，位于我国上海的SMEE已研制出具有自主知识产权的投影式中端光刻机，形成产品系列初步实现海内外销售正在进行其他各系列产品的研发制作工作光刻机又名掩模对准曝光机曝光系统光刻系统等，是制造芯片的核心；1国内光刻机需求高度依赖进口 光刻机又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备，也是光刻胶材料研发的重要设备由于光刻机是技术壁垒极高的产品，受技术限制，我国光刻机需求高度依赖进口，数据；中国的企业在光刻机领域的研发能力也在不断提升例如，中微半导体公司自主研发的光刻机已经实现了量产，并成功应用于多个芯片制造企业此外，国内的其他企业也在积极开展相关技术研究和开发工作，不断提升自身的技术水平和市场；九十年代以来，光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年，这个技术非常关键，这直接导致ASML如此强势的关键直到二十一世纪，中国才刚刚开始启动193纳米ArF光刻机项目，足足落后ASML20多年。