1、3 对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度4 曝光方式分为接触接近式投影式和直写式5 曝光光源波长分为紫外深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等以上就是给各位带来的关于光刻机性能指标是。

2、65nm是一个坎，90nm和65nm都属于深紫外DUV干式光刻机，优于65nm的就是深紫外浸没式光刻机，工件台浸泡在水里，技术革新幅度比较大佳能和尼康就是因为开发这一代产品失败，止步于高端光刻机市场 国产光刻机的下一个目标是28nm。

3、duv和euv区别如下目前的光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机DUV是深紫外线Deep Ultraviolet Lithography，EUV是极深紫外线Extreme Ultraviolet Lithography前者采用极紫外光刻技术，后者采用深紫外光刻技术EUV已。

4、荷兰最终解禁，卖给中国的光刻机，但这个荷兰先进的光刻机并不代表中国芯片行业的腾飞中国芯片行业真正的救星，一定是中国自己特朗普离开白宫后，外国强加给中国的所有技术限制似乎都失败了就在上周，好消息来了，一直。

5、这么说吧，全球最先进的光刻机和最酷毙的制程工艺，基本都用来伺候个位数的手机SoC芯片了，牛掰如英特尔，目前最先进的芯片制程工艺也就是10nm相当于台积电深紫外DUV光刻机下的7nm工艺即使在台积电这里，代工的大部分。

6、在阿斯麦2019年卖出的229台光刻机中，有26台是当今最高端的EUV极紫外线光刻机而在EUV光刻市场，阿斯麦是唯一的玩家 EUV光刻机采用135nm波长的光源，是突破10nm芯片制程节点必不可少的工具也就是说，就算DUV深紫外线光刻机。

7、为了发展我国自主的科学仪器设备，促进我国深紫外领域前沿研究的发展，中科学院暂时禁止相关技术出口国外，并组织院内优势力量成功开发出了 深紫外拉曼光谱仪深紫外光电子发射显微镜深紫外激光光化学反应仪深紫外激光光致。

8、近日，华为宣布由于收到制裁，芯片停产，而芯片制作工艺中一个不可缺少的就是光刻工艺光刻的原理是在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶，再用光线一般是紫外光深紫外光极紫外光透过掩模照射在硅片表面，被。

9、对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度曝光方式分为接触接近式投影式和直写式曝光光源波长分为紫外深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等以上内容参考百度百科光刻机。