国产光刻机，已经取得重大突破光刻机又叫掩模对准曝光机曝光系统光刻系统等，是制造芯片的核心装备，光刻，也被称为光学平版刻法或紫外光刻，是一种在薄膜或基板也被称为晶圆上对零件图形化的精密加工工艺，光刻；也就是说，我们的国产光刻机目前可以做到90纳米工艺之前有网友爆料，上海微电子将于2020年12月下线首台采用ArF光源的SSA80010W光刻机，这是一台国产浸没式DUV光刻机，可实现单次曝光28nm节点所以网络里一直流传着这个。

国产光刻机可以达到55纳米目前国产光刻机最先进的设备在分辨率上达到了55nm，由于ArFDry光刻机的极限工艺为55nm，因此国产光刻机最多只能够支撑55nm工艺，无法实现更高的工艺水平虽然目前国内光刻机的分辨率和工艺水平还不；我国的光刻机实现了弯道超车，已经突破了9nm技术瓶颈根据媒体在之前的报道我们得知，由武汉光电国家研究中心的甘棕松团队，现在已经成功的研制出9nm工艺的光刻机这次研制出来的光刻机技术与其他国家的是完全不同的，国产的。

国产光刻机突破关键技术,哈工大公布新成果

没有euv光刻机，也造不了3nm，国产芯片可以利用先进封装技术来提升芯片性能和降低成本没有EUV光刻机，并不意味着中国的芯片企业就无法实现3nm制程通过先进封装技术，中国的芯片企业可以利用现有的制程水平，实现更高的芯片。

国产光刻机正向下一个技术节点寻求突破4产业链 光刻机产业链主要包括上游核心组件及配套设备中游光刻机生产及下游光刻机应用三大环节光刻机技术极为复杂，在所有半导体制造设备中技术含量最高5光刻机国产化 在。

我国待突破的封锁线是第三道，是目前为止的最后一道，即对目前为止属于世界领先水平的高端光刻机技术和产品的封锁现在和在将来的一个时期内，我国企业买不来EUV光刻机产品，我国的光刻机企业更买不来EUV技术，这是由于。

中国光刻机现在达到了22纳米在上海微电子技术取得突破之前并兆盯，我国国产的光刻机一直停留在只能制造90nm制程的芯片这次我国直接从90nm突破到了22nm也就意味着我国在光刻机制造的一些关键核心领域上已经实现了国产化。

国产光刻机突破关键技术再进一步

是真的1查询昆山政府官网，2023年2月1日，我国首台国产光刻机正式在昆山交付成功，不是研发也不是实验，是正式交付使用，这意味着我国在光刻机的领域突破了0到1的关键阶段，所以昆山光刻机是真的2昆山一般指。