EUV极紫外光光刻技术是当前半导体产业中最关键的先进制造技术之一这项技术能够实现将微型和纳米电子元件的大小缩小至5纳米，已在众多领先半导体公司如Intel和TSMC的生产流程中得到应用2 EUV光刻机的核心技术 EUV光刻机主要由三部分组成EUV光源光刻镜头和控制系统这三部分是实现EUV技术成功的。

1 EUV光刻机利用接近或接触式光刻技术，通过将掩模板上的图案无限靠近至几乎接触，实现复制2 直写式光刻技术则通过聚焦光束至一点，并通过移动工件台或镜头扫描的方式来加工任意图形3 由于其高效的光亮比和无损伤的特性，投影式光刻技术成为集成电路制造中的主流选择4 光刻机是制造微机电。

中国虽历经数十年的研究，但在这个领域，荷兰ASML公司却独占鳌头，特别是其EUV光刻机，价值高达八亿，且供不应求美国对中国高科技产品的限制，使得中国购买一台光刻机的历程如同一场马拉松，耗时之长令人瞩目。

佳能革新光刻技术，引领芯片制造业新篇章佳能科技的最新突破性纳米压印光刻技术，正逐步改变我们对芯片制造的认知据金融时报披露，这项创新技术有望在2023年内交付，以颠覆现有的DUV和EUV光刻工艺，实现前所未有的效率和成本节省佳能光学产品业务的掌门人Hiroaki Takeishi透露，公司计划于2024和2025年。

ASML，全球领先的光刻机制造商，正在研制一款新的高NA EUV光刻机，可能将成为最后一代这款新机器将具有055 NA高 NA的透镜，分辨率达8nm，旨在尽可能避免在3 nm及以上节点中的双重或多重曝光此外，ASML还在努力降低EUV和High NA图案化的成本，这可能需要十年的努力对于这款新光刻机的。

首先，我们需要了解光刻机的基本知识光刻机根据光源的不同，可分为紫外光源UV深紫外光源DUV和极紫外光源EUV三种其中，EUV光刻机是目前全球最先进的光刻机，能够生产7纳米以下的芯片然而，这种光刻机的制造难度极大，目前全球仅有荷兰的ASML公司能够生产与原子弹的研发相比，光刻。

4nm的紫外线极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线极紫外光刻是一种使用极紫外波长的下一代光刻技术，其波长为135纳米，预计将于2020年得到广泛应用几乎所有的光学材料对135nm波长的极紫外光都有很强的吸收，因此，EUV光刻机的光学系统只有使用反光镜。

EUV光刻机主要由三个部分组成EUV光源，光刻镜头和控制系统这三个部分都是EUV技术成功实现的关键21 EUV光源 EUV光源是EUV技术的核心之一，它发射的波长为135纳米的光束目前，开发出能够持续发射这种波长的光源并不容易EUV光源需要使用多种材料，如锡和锂，来产生等离子体并产生光，在此过程。

1 SSMB光源有潜力成为未来EUV光刻机的光源，这也是国际社会高度关注清华大学SSMB研究的原因之一2 在芯片制造行业，光刻机是制造集成电路芯片时必不可少且最为关键的设备光刻机的曝光分辨率与波长直接相关，半个多世纪以来，光刻技术中光源的波长一直在缩小目前，被行业公认的新一代主流光刻技术。