其实芯片制造业的上下游供应商和制造商有很多，中微也仅是在这一个闭环中的一个环节上取得领先地位，但在芯片制造业的整体水平仍是落后状态荷兰ASML公司几乎垄断了全球的高端光刻机生产及供应，尤其是EUV光刻机，在2019年。

1半导体设备 我们的主角中微半导体所在的领域就是半导体设备细分行业，这个行业主要有两种半导体设备，一是光刻机，一个是刻蚀机中微是以刻蚀机为主要设备的供应商，去年12月公司自主研制的5nm等离子体刻蚀机正式通过台积电。

芯片的5nm7nm说白了就是芯片内部晶体管之间的宽度而数值越小，意味着技术越先进，所以它是很重要的015nm7nm指的是宽度在芯片之中，有非常多的晶体管，而每一个晶体管的宽度，也就会用5nm7nm这样的方式表达。

另外还有一点就是媒体错误理解了一个概念，那就是中科院突破的5nm狭缝电极并不是芯片制造的都所有技术，这是一天很漫长的道路，而且激光光刻机用于工业上面也不合适，只适合用来做实验打个比方把芯片当成一个图片还看待的话。

月初一条“中科院5nm激光光刻技术突破”的新闻火了，在很多无良自媒体的口中这则新闻完全变了味，给人的感觉像是中国不久将会拥有自己的5nm光刻机，其实真实情况完全不是一回事下面我们就来谈谈这则新闻真实的内容到底是。

光刻机刻制芯片，根据芯片的设计需求，可以刻制少到几层，多到几十层甚至上百层通常情况下，28nm的IC最多可使用50层光罩，14nm10nm的IC使用60层光罩，7nm有80层光罩，5nm则达到100层光罩台积电在7nm芯片上中的12层。

但是，我国的光刻机设备一直处于十分落后的状态，很难让国内半导体厂商生产出高端芯片工艺而蚀刻机在我国却是特别先进，用于下一代新高端工艺芯片生产，也是绰绰有余据了解，中微半导体的所自研的高精度蚀刻机已达到5nm。

芯片分为设计制作封装测试，其中最难的就是制作，芯片光刻的难度好比是在一粒大米上雕刻清明上河图，而且还是在运动过程中雕刻而且要使用先进的设备光刻机10nm芯片普通光刻机即可制作，而7nm5nm芯片就要使用AMSL。

这将是一条很坚硬很坚难的山路，可能我们要好长时间才能实现真正赶超等到我国不依赖国外的设备材料，尤其是光刻机，能制造出10nm以内的芯片出来，才是算是真正的崛起，这时候再进行赶超就没那困难了。

而华为Mate60系列搭载的估计是“麒麟9100和9000S”，采用的就是芯片堆叠封装技术，能够使14nm的晶体管密度达到5nm芯片的数量，性能上接近5nm芯片，绕过EUV光刻机和高端工艺技术制造，实现国产芯片性能接近N5工艺，也实属难得。