国内唯一一台7nm光刻机在武汉弘芯中芯国际所采购的ASML光刻机设备，只能够实现14nm芯片量产，国内最先进的光刻机设备并不是中芯国际目前所使用的光刻机设备，而是武汉弘芯在2019年12月所购得的7nm光刻机，当时武汉弘芯还举行了重大的入场仪式光刻机，又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。

目前，世界上最先进的光刻机已经能够加工13纳米线条而我们人类的头发丝直径大约是50~70微米，也就是说，光刻可以刻画出只有头发丝直径15000的线条前面提到的荷兰ASML公司的极紫外光刻机EUV是现在全球最顶尖的光刻机设备，相较于DUV，它把193nm的短波紫外线替换成了135nm的极紫外线，能够把；因为中国需要光刻机来制造CPU，而CPU的制造离不开光刻机我国在光刻机真正发展起来是在 2002 年上海微电子装备成立以后，目前性能最好的是 90nm 光刻机，与国外还存在着很大的差距；我们也许不知道接触式光刻和深亚微米光源已经达到了小于01 gm的特征尺寸，常用的光源分辨率为05 gm左右接触式光刻机的掩模版包括了要复制到衬底上的所有芯片阵列图形在衬底上涂上光刻胶，并被安装到一个由手动控制的台子上，台子可以进行xy方向及旋转的定位控制在操作过程中掩模版和衬底。

用于生产芯片的光刻机是中国在半导体设备制造上最大的短板，国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口，光刻机被业界誉为集成电路产业皇冠上的明珠，研发的技术门槛和资金门槛非常高也正是因此，能生产高端光刻机的厂商非常少，到最先进的14nm光刻机就只剩下ASML，日本佳能和尼康已经基本放弃第六代EUV；2发光原理不同 duv光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米euv激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为135纳米3光路系统不同 duv主要利用光的折射原理其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nm光刻机简介 光刻机lithography；CPU纳米等级越低，在相同大小的硅晶片上就可以容纳更多的晶体管，CPU也可以制作得性能更好，同时功耗下降CPU纳米指的是制程工艺，也就是光刻机在硅晶片上的制程技术随着技术提升由90纳米到65到45，越来越小的核心，比如45纳米就比65纳米先进，制程越先进就越能缩小晶体管的体积，相同面积的晶圆就能。

是90纳米查询官网可以知道，如今最先进的光刻机是600系列，光刻机最高的制作工艺可以达到90纳米但是相比于荷兰ASML公司旗下的EUV光刻机，最高可以达到5纳米的工艺制作而且即将推出3纳米工艺制作的芯片但是据相关信息透露，预计我国第一台28纳米工艺的国产沉浸式光刻机即将交付尽管国产光刻机仍。