Mosi多层膜反射镜对135nm附近光的反射率最高接近70％山，因此下一代光刻机采用波长135nn附近027nn带宽的极紫外荧光光源，该技术被称为极紫外光刻技术带宽027nm为中心波长135nm的2％，因此称其为“13。

EUV光刻技术是当前主流的先进制程技术，使用135nm分辨率的光可以构建更小的单位特征，但面临着成本高昂和物理极限等挑战与之相比，NIL光刻技术具有一些独特的优势，可以作为下一代光刻技术的候选者NIL光刻机相对于EUV光。

极紫外光刻是一种使用极紫外波长的下一代光刻技术，其波长为135纳米，预计将于2020年得到广泛应用几乎所有的光学材料对135nm波长的极紫外光都有很强的吸收，因此，EUV光刻机的光学系统只有使用反光镜。

duv光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米euv激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为135纳米3光路系统不同 duv主要利用光的折射原理其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水。

EUV光刻机主要由三个部分组成EUV光源，光刻镜头和控制系统这三个部分都是EUV技术成功实现的关键21 EUV光源 EUV光源是EUV技术的核心之一，它发射的波长为135纳米的光束目前，开发出能够持续发射这种波长的光源并不。

高性能的光刻机在运输安装调试方面会花许多时间，尽管市场供不应求，但是为了保证生产效果，运输安装调试运行所花费的时间经济成本大，不能做到效果手机电脑等消费品那样大量生产另一个原因是EUV光刻机的生产用到了。

新一代光刻机相比之前的设备肯定各方面都会更先进，关于新一代EUV光刻机的性能参数，阿斯麦公司并未透露太多，阿斯麦公司制造新一代光刻机肯定会在制造的良率工艺水平等方面都会有很大提升和进步，因为性能和各方面都更。