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第二代euv光刻机
第二代euv光刻机(第二代EUV光刻机NXE3400D简解)
Mosi多层膜反射镜对135nm附近光的反射率最高接近70%山,因此下一代光刻机采用波长135nn附近027nn带宽的极紫外荧光光源,该技术被称为极紫外光刻技术带宽027...
技术文章
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2024-05-11
234阅读
0评论
包含第二代euv光刻机的词条
1、简单来说,如果日后石墨烯晶圆能够实现大批量生产,与之相匹配的产业链逐步完善我们完全可以避开国外的EUV光刻机,来生产出质量更优性能更高成本更低的芯片毕竟我国是第一个实...
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2023-10-25
231阅读
0评论
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