1、157nm光刻机MaskAligner又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫Mask Alignment System一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干涂底旋涂光刻胶软烘对准曝光后烘显影；5纳米5nm光刻机的原意应该是可以实现5纳米制程的光刻机，是EUV极紫外线光刻机EUV使用了135纳米的极紫外线激光源，比193纳米深紫外线光源的DUV光刻机能力更强纳米符号nm，即为毫微米，是长度度量单位1。

2、比较厉害1高集成度035纳米的最小工艺可以制造出非常小的芯片线宽，从而实现更高的集成度，使得芯片可以容纳更多的晶体管和电路，提高了芯片的性能和功能2低功耗035纳米的最小工艺可以制造出更小的晶体管；90纳米封装光刻机在国内市场已占据不小的份额，这是国产光刻机取得的进步然而在代表着光刻机技术水平的晶圆制造光刻机方面，上海微装可生产加工90nm工艺制程的光刻机，这是国产光刻机最高水平，而ASML如今已量产7nm。

3、日本尼康曾研制出世界第一台32nm光刻机和世界第一台22nm光刻机，荷兰ASML那时只是一个小厂商，并不具备单挑日本光刻机巨头的实力但在之后的14nm工艺和7nm上，佳能尼康已经在光刻机产业上举了白旗，截至2013年，ASML；这就导致我们国家先进光刻机的研发进度远远落后于ASML，我们国家自己研发的光刻机目前最好的是上海微电子的90nm制程的光刻机，跟ASML差距很大，虽然这条道路很艰难，但是如果我们做不出来，美国就会一直卡我们的脖子，我们自己；指使用波长为200nm的紫外线作为曝光光源的微影技术光刻机20的主要优点是能够制造出更精细更复杂的电路图案，并且能够实现更高的集成度。

4、2纳米还是构想或许在先进实验室有原理能实现它，市面上并无能够商用的“光刻机”目前全世界最先进的制程还在3nm， 2nm的技术预计 2025年会投入商用所以预估最快2024年2纳米光刻机才会正式问世；国内唯一一台7nm光刻机在武汉弘芯中芯国际所采购的ASML光刻机设备，只能够实现14nm芯片量产，国内最先进的光刻机设备并不是中芯国际目前所使用的光刻机设备，而是武汉弘芯在2019年12月所购得的7nm光刻机，当时武汉弘；进一步延伸，目前市面上的手机芯片制造大厂已经开始采用更小的7nm或者5nm的光刻机进行生产，以追求更加微小的芯片结构和更高的性能表现未来随着科技的不断发展，光刻技术也将不断提高，为手机芯片的制造带来更大的发展空间。