1、今天，很少有国家拥有原子弹，但高端光刻机比原子弹还稀少，到目前为止，只有两个国家拥有，即荷兰和日本有人会问，这台光刻机是做什么的光刻机是芯片制造的核心设备之一，芯片生产有光刻机，封装有光刻机，LED制造；制作芯片的光刻机的精度决定了芯片性能的上限据最新消息，上海微电子设备计划于2021年首次交付国产28纳米immersion光刻机，该技术的交付与荷兰ASML世界最大半导体设备制造商之一，光刻机制造领域全球领先相比，不足近20年；目前，国内已经有一批企业开始进军光刻机领域，包括上海微电子华光光电晶合集成等这些企业已经在一些特定领域取得了突破性进展，例如华光光电研发的国内首台100纳米线宽金属钨光刻掩模版，上海微电子的28纳米节点ArF浸没式光；而且即将推出3纳米工艺制作的芯片但是据相关信息透露，预计我国第一台28纳米工艺的国产沉浸式光刻机即将交付尽管国产光刻机仍与ASML的EUV光刻机还有很大的距离，虽然起步晚，但是国人的不断努力，仍会弯道超车相关介绍；我国的半导体行业起步较晚，在技术和设备方面都有很大的差距虽然如此，但是我们却在一直追赶，如今国产光刻机已经突破28纳米，越来越多的企业走上自主研发芯片的道路虽然目前我国芯片产业的发展仍需面对需求旺盛供给不足。

2、不过咱们不是一片空白从上游材料设备到中游设计制造，再到下游封测，我国半导体产业链各个环节的国产化发展和竞争也异常激烈事实上，半导体产业国产化的历程已经冲刺多年光刻机蚀刻机芯片设计芯片制造等各方面都在；而其他几个光刻机制造业他们的技术水平都比较低，目前已经量产的光刻机只有200nm，这些光刻机只能用于生产一些低端的芯片不过经过多年的努力之后，目前上海微电子在光刻机研发上已经取得了重大突破这种28纳米的光刻机；国产的光刻机受到强烈的关注，就是因为这个东西关乎到我们国产芯片的这个制造能力，尤其是手机电脑等芯片，我们现在的这些芯片用的基本都是国外的，没有自己造出来的，因为你自己造出来的精度不够高，达不到使用的需求，然后；我国在制造光刻机时还面临其他难题首先就是光刻机领域科研实力不够我国科研发展起步较晚，在光刻机领域研发水平十分落后，研发初期简直是毫无头绪，科研人员也是无从下手，不过我国目前在研发制程约为28纳米的光刻机。

3、综合市场表现概念的关联度等条件，证券时报·数据宝筛选出光刻机光刻胶概念股名单，如下 2 芯片 低速的光芯片和电芯片已实现国产，但高速的仍全部依赖进口 国外最先进芯片量产精度为10纳米，我国只有28纳米，差距两代 据报道；华为有可能造出光刻机吗需要多久看完长知识了 光刻机的国内自主研发是现在很多人都觉得势在必行的实行，主要原因就是因为这个东西我们的高端芯片产业被美国遏制确实很不爽我们知道作为咱们国家民用芯片设计的王者，华为。

4、路要一步一步走，中国16个重大专项中的02专项提出光刻机到2020年出22纳米的目前主流的是45纳米，而32纳米和28纳米的都需要深紫外光刻机上面改进升级用于光刻机的固态深紫外光源也在研发，我国的光刻机研发是并行研发；我国目前在光刻机研发已经花了相当长的时间，也必须画上更长的时间，目前我国研发的光刻机精度达到了28纳米，但高端光刻机的光刻机的精度却是5纳米，所以还有很大的差距，只有拥有真正高端的光刻机，才能将命运掌握在自己；但是相比于荷兰ASML公司旗下的EUV光刻机，最高可以达到5纳米的工艺制作而且即将推出3纳米工艺制作的芯片但是据相关信息透露，预计我国第一台28纳米工艺的国产沉浸式光刻机即将交付尽管国产光刻机仍与ASML的EUV光刻机；ASML公司是全球最大的光刻机生产企业，也是技术最先进的光刻机研发企业，不仅拥有28纳米DUV光刻机，而且还拥有先进的EUV光刻机但是由于一些原因，现在ASML也就是卖给中国一些DUV光刻机，不卖给中国企业EUV光刻机DUV光刻。

5、另外，上海微电子已经完成28纳米光刻机的突破，将于明年2021年正式交付使用28纳米国产光刻机经过多次曝光工艺可以生产28纳米14纳米10纳米芯片，极限状态下，不考虑成本和良品率的情况下，也可以生产7纳米芯片90；也是可行的，因为我国的上海微电子已经研发出28纳米的光刻机，中微半导体已经自主研制的出5 纳米等离子体刻蚀机，取得了业内领先水平，在芯片的封测领域我们也并不落后，华为有能力整合国内技术建立一条28纳米的芯片生产线，华为的南泥湾项目。