光电所SP光学光刻机就是绕开了传统的193纳米曝光的技术路线，利用长波长光源也可以得到一个突破衍射极限的分辨率的图形，所以在成本上安全性方面上都会有一个很大的提升，是完全具有知识产权的原创性技术我以前了解过，光刻；对于波长更短的深紫外光光源，可以使用准分子激光例如KrF 准分子激光248 nmArF 准分子激光193 nm和F2准分子激光157 nm等曝光系统的功能主要有平滑衍射效应实现均匀照明滤光和冷光处理实现强光；光刻机是掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成步进投影和扫描投影。

根据媒体在之前的报道我们得知，由武汉光电国家研究中心的甘棕松团队，现在已经成功的研制出9nm工艺的光刻机这次研制出来的光刻机技术与其他国家的是完全不同的，国产的光刻机是利用二束激光在自研的光刻机上突破了光束衍；光刻机原理 是利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用这就是光刻的作用，类似照相机照相照相；提问者所说的中国光刻机达到世界先进水平，应该是指2018年11月29日通过验收的，由中国科学院光电技术研究所主导经过近七年艰苦攻关研制的“超分辨光刻装备”项目该项目下研制的这台光刻机是“世界上首台分辨力最高的紫。

可以降低光源波长离轴照明光学临近修正方法降低光刻机投影最小图像的尺寸降低光源波长，从436纳米，到365，再降低就到了极紫外准分子激光器的范围咯，然后是248，然后是目前工业界占绝对统治地位的ArF193nm离轴照明；1 光刻机的主要性能指标有支持基片的尺寸范围，分辨率对准精度曝光方式光源波长光强均匀性生产效率等2 分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以。

对于这次的突破，验收专家组的意见是该光刻机在365纳米光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米项目在原理上突破分辨力衍射极限，建立了一条高分辨大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过国外相关知识产权壁垒消息。