1、中国的蓝光光刻机2021年已经投入使用，是上海微电子自主研发，只有28nm工艺设计。

2、目前，国内已经有一批企业开始进军光刻机领域，包括上海微电子华光光电晶合集成等这些企业已经在一些特定领域取得了突破性进展，例如华光光电研发的国内首台100纳米线宽金属钨光刻掩模版，上海微电子的28纳米节点ArF浸没式光。

3、也就是说，我们的国产光刻机目前可以做到90纳米工艺之前有网友爆料，上海微电子将于2020年12月下线首台采用ArF光源的SSA80010W光刻机，这是一台国产浸没式DUV光刻机，可实现单次曝光28nm节点所以网络里一直流传着这个。

4、再联想到我国今年才有自主产权的28纳米光刻机，你就知道国产顶级光刻机与国外最先进水平的光刻机差距有多大 同样在摩尔定律没有失效的情况下，芯片性能几乎每年都有突破性的进展而芯片因为制程的进步，工艺越先进，单位面积内集成的晶体。

5、目前国产光刻机已经达到了七纳米水平，对于国外的五纳米还处在很大的前进进步阶段。

6、据悉国产DUV光刻机和28nm生产线会在2022年实现开始量产，届时我国的芯片制造水平或将迎来开拓性进展建晶圆厂只是第一步，后续也许还会有更多企业参与进来，共同推动我国芯片制造业发展进程，逐步摆脱供应链技术依赖。

7、光刻机制造瓶颈在克刻的精度要求，所以要以要求定精度，主要是机械制造上要严要，首先是制造的母机精度再谈的上制造精度，再就是制造的人才，精度一高装配就要用热胀冷缩的办法，不光是尺寸合格直线度平行度圆柱度都要严，要不装上去。