国产光刻机90nm蚀刻机达到了5nm水平，光刻机仍然是处于90nm水平，2018年时中科院的“超分辨光刻装备研制”通过验收，它的光刻分辨力达到22nm，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片但是这仅限于实验室阶段。

我国九十纳米的光刻机，在这个领域水平的应当属于一流水平但是还远远比不上国外的水平，毕竟国外的光刻机能够制作十纳米以内的芯片，而这一年我国目前还是远远无法做到的对此我国也正在努力进行追赶，但是短期之内还暂时无法。

在进口贸易方面，数据显示，20172020年，我国光刻机进口数量和进口金额均先将后升2020年，进口数量为239台，进口金额为1855亿美元2021年17月，进口数量和金额分别为248台67亿美元，均超过了2020年全年水平从。

官网显示，目前最先进的光刻机是600系列，光刻机中最高的生产工艺可以达到90nm然而，与荷兰ASML公司拥有的EUV掩模对准器相比，它可以通过高达5纳米的工艺制造而且3nm工艺制作的芯片即将上市不过根据相关信息，预计中国首。

提问者所说的中国光刻机达到世界先进水平，应该是指2018年11月29日通过验收的，由中国科学院光电技术研究所主导经过近七年艰苦攻关研制的“超分辨光刻装备”项目该项目下研制的这台光刻机是“世界上首台分辨力最高的。

中国光刻机历程 1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺清华大学研制第四代分部式投影光刻机，并在1980年获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平而那时，光。

高水平根据查询大疆官网显示，大疆光刻机采用了可调焦镜头，可以适应不同芯片制造工艺的需求，同时也能够实现更高的精度和更小的线宽，是高水平机器。

在芯片的生产过程中，光刻机是关键设备，而光刻则是必不可少的核心环节光刻技术的精度水平决定了芯片的性能强弱，也代表了半导体产业的完善程度我们国内一直希望在这方面取得领先的地位，但是结果却不尽人意其实光刻机。