至此，使用DUV 光刻机借助 SADPSAQP 技术实现7nm 制程工艺中关键尺寸的实现就讲完了，接下来介绍使用EUV 工艺实现 EUV 光刻机得益于使用135nm EUV 作为光源，单次曝光的分辨率极限可以达到13nm，因此在7nm 制程工艺中的特征尺寸基本单。

相比较而言， SADP 技术就要简单得多，SADP 技术可以相对轻松地实现光刻图形尺寸减缩小一倍，也就是说使用上述DUV 光刻机结合SADP 技术是可以实现20nm 的图形上文中7nm 工艺参数中的 DP193i 指的就是使用193nm immer。