中兴华为被排除在外，似乎跟2000年前后“EUV光刻机之战”很相似上世纪90年代后期，芯片制程沿着摩尔定律迈进的时候，遭遇技术瓶颈，193nm迟迟无法突破，大家都在寻找取代193nm光刻光源的技术，在那个时代，尼康是当之无愧。

7nm不是工艺极限，而是物理极限要做个小于7nm的器件并不难，大不了用ebeam lith但是Si晶体管小于7nm，隔不了几层原子，遂穿导致漏电问题就无法忽略，做出来也没法用芯片上集成了太多太多的晶体管，晶体管的栅极控制着。

全球半导体设备厂商前十名，除开荷兰造光刻机的ASML和新加坡的ASM，剩下有四个美国的，四个日本的里面的技术问题盘根错节，基本逃不出美国新政策的限制前面说过，多数厂商只会涉及到芯片制造的一个环节，所以这么多年华为自己设计的芯片。

为7纳米芯片生产线供应刻蚀机中微半导体如今通过台积电验证的5纳米刻蚀机，预计能获得比7纳米更大的市场份额中科院SP超分辨光刻机 提问者所说的中国光刻机达到世界先进水平，应该是指2018年11月29日通过验收的，由中国。

确实，一个萝卜一个坑，搞火箭，不是有钱就行啊，需要资质以及其他的啊至于芯片，可能资质门槛低些，但是芯片设计华为已经比较成功了，再来个加入的，抢人家饭碗嘛光刻机，这是涉及到无数实体行业，国情如此，不是给。