中国光刻机现在达到了22纳米在上海微电子技术取得突破之前，我国国产的光刻机一直停留在只能制造90nm制程的芯片这次我国直接从90nm突破到了22nm也就意味着我国在光刻机制造的一些关键核心领域上已经实现了国产化而自己。

不但如此，上海微电子企业也带来了喜讯，他们也成功地提升了22nm的光刻机技术虽然技术上，与欧美国家等国仍有很大的差别，但针对中国半导体领域之中，确是一次很大的提升，我们与发达国家的差别已经逐渐变小，并且现阶段我们。

国产光刻机90nm蚀刻机达到了5nm水平，光刻机仍然是处于90nm水平，2018年时中科院的“超分辨光刻装备研制”通过验收，它的光刻分辨力达到22nm，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片但是这仅限于实验室阶段。

但国内市场上，其实已经有7nm光刻机在2018年12月，SK海力士无锡工厂进口了中国首台7nm光刻机海力士也是ASML的股东之一第三，目前国产最先进的光刻机，应该是22nm根据媒体报道，在2018年11月29日，国家重大科研装备。

由于我国研发成功90nm制程的光刻机，同时中科院的“紫外光超分辨率光刻设备”研制成功，光刻分辨率可达22nm，ASML已经开始生产5nm制程的光刻机，所以才解除了7nm制程的光刻机“禁售令”，中芯国际获得了一台虽然中芯国际拥有了一台7nm制程。

ASML目前还不具备向国内供货EUV光刻机的条件，而且基本没有库存，每生产一台都会被台积电，三星订购从ASML获得EUV光刻机基本上不能指望了靠自主生产光刻机的话，以国内最高22nm光刻机的水平来看，要达到EUV的程度，可能。

进展国产刻蚀机打入全球芯片先进制程产业链光刻机是芯片制造过程中最复杂和最关键的设备，EUV技术阶段设备要求更高这方面国产光刻机与国际大厂还有显著的差距22nm光刻工艺2018年11月，中科院光电所经过7年研发，成功验收。

光刻机的主要作用是将掩模版上的芯片电路图转移到硅片上，在某种程度上来说，光刻工艺的决定了半导体线路的线宽，同时也决定了芯片的性能与功耗，越高端的芯片，所需要的光刻工艺也越先进 “工欲善其事，必先利其器”，光刻机就是芯片。

由于遇到了技术发展障碍，ArF加浸入技术成为主流由于157 nm波长的光线不能穿透纯净水，无法和浸入技术结合因此，准分子激光光源只发展到了ArF通过浸没式光刻和双重光刻等工艺，第四代ArF 光刻机最高可以实现22nm 制程的。