1822年世界第一台光刻机是，1822年法国人尼埃普斯发明的，起初是尼埃普斯发现了一种能够刻在油纸上的印痕，当其出现在了玻璃片上后，经过一段时间的暴晒，透光的部分就会变得很硬，但是在不透光的部分可以用松香和植物油；笫一代光刻机是436纳米一切光刻机的核心零件是围绕光源来的，根据光源的改进，光刻机一共可以分为5代，分别是最早的436纳米光刻机，然后第二代是365纳米波长，第三代是248纳米，第四代是193纳米波长，第五代是135。

第一代光刻机是如何制造的

高通进入手机芯片制造稍微晚一些，是从65纳米开始的从第二代S2系列以后才用上45纳米工艺第一代小米手机M1用的是高通骁龙第三代S3系列的MSM8260处理器芯片制造主要看光刻机精度和工艺按照现在的工艺，用90纳米光刻机。

光刻技术的发展 1947年，贝尔实验室发明第一只点接触晶体管从此光刻技术开始了发展1959年，世界上第一架晶体管计算机诞生，提出光刻工艺，仙童半导体研制世界第一个适用单结构硅晶片1960年代，仙童提出CMsC制造工艺，第一台。

Mosi多层膜反射镜对135nm附近光的反射率最高接近70％山，因此下一代光刻机采用波长135nn附近027nn带宽的极紫外荧光光源，该技术被称为极紫外光刻技术带宽027nm为中心波长135nm的2％，因此称其为“13。

台积电的7nm工艺分为第一代7nm工艺N7第二代7nm工艺N7P7nm EUVN7+其中，N7和N7P使用的是DUV光刻，为了用DUV制作7nm工艺，除了使用沉浸式光刻外193nm波长的浸润式光刻机，通过水的折射，最终波长。

第一代光刻机的样子

光刻机发展至今，已经历了5代产品的迭代在1985年之前，第一代光刻机光源以436nm的gline汞灯光源为主，只适用于5μm以上制程之后出现了365nm的iline汞灯光源的第二代光刻机，制程精度来到了350500nm第三代为。

传统派就是第一代光刻机，新派就是在第一代光刻机基础上又更新技术的第二代光刻机，那些反对新派的人，真的不明智，那是阻碍八字预测学的发展，任何技术，都是要通过学者不断更新才会提高进一步的准确率的，老祖宗留下。

大概你不知道lpp也已经第四代了，这已经奔着第五代去了也就不说这台所谓的样机是一个什么状态了最后，在知乎上都是个人立场，至于asml公司，但凡多了解一点就知道它一直寻求与中国合作，川普上台前差点儿把euv光刻机。