1、前者采用极紫外光刻技术，后者采用深紫外光刻技术EUV已被确定为先进工艺芯片光刻机的发展方向DUV已经能满足绝大多数需求覆盖7nm及以上制程需求DUV和EUV最大的区别在光源方案duv的光源为准分子激光，光源的波长能达到。

2、一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干涂底旋涂光刻胶软烘对准曝光后烘显影硬烘激光刻蚀等工序光刻机的制造和维护需要高度的光学和电子工业基础，因此，世界上只有少数厂家掌握光刻机的品牌众多，根据。

3、常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System是指在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程并不是单纯的激光，其曝光系统基本上使用的是复杂的。

4、光刻机的曝光系统最核心的部件之一是紫外光源常见光源分为可见光g线436nm 紫外光UV，i线365nm 深紫外光DUV，KrF 准分子激光248 nm， ArF 准分子激光193 nm 极紫外光EUV，10 ~ 15 nm。

5、NIL光刻机相对于EUV光刻机来说，光源的成本更低，不需要使用昂贵的EUV激光源同时，NIL光刻机使用一些DUV或者更成熟的光源结合纳米涂层的方法，可以实现一至两纳米制程的量产，具有较高的制程精度和生产效率尽管NIL光刻。

6、曝光方式分为接触接近式投影式和直写式曝光光源波长分为紫外深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等对准系统制造高精度的对准系统需要具有近乎完美的精密机械工艺，这也是国产光刻机望尘莫及的技术难点。

7、其分为两种，一种是模板与图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴晶圆另一种是利用短波长激光和类似投影机原理的步进式光刻机stepper或扫描式光刻机scanner，获得比模板更小的曝光图样光刻机分类 光刻机。

8、1测量台曝光台是承载硅片的工作台2激光器也就是光源，光刻机核心设备之一3光束矫正器矫正光束入射方向，让激光束尽量平行4能量控制器控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像。

9、然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干涂底旋涂光刻胶软烘对准曝光后烘显影硬烘激光刻蚀等工序光刻机的制造和维护需要高度的光学和电子工业基础，因此。