我国九十纳米的光刻机，在这个领域水平的应当属于一流水平但是还远远比不上国外的水平，毕竟国外的光刻机能够制作十纳米以内的芯片，而这一年我国目前还是远远无法做到的对此我国也正在努力进行追赶，但是短期之内还暂时无法；过去，中国的光刻机只能达到50纳米的生产精度，然而近年来，把握机遇，大力发展技术，中国光刻机顺利实现了25纳米和18纳米的生产精度，成功将产业链推向更高层面而如今光刻机打破7纳米这一生产极限，是产业竞争最新的战略。

smee光刻机22纳米光刻机lithography又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上2018年11月29日，国家重大科研装备。

光刻机多少纳米是什么意思

经过资源整合和技术研发，中国目前已经具备量产14nm精度光刻机的技术但从客观上看来14nm和7nm还差了一大截国产光刻机可以达到多少纳米的所有内容，上文内容仅为小编的个人看法，仅供各位参考。

smee光刻机28纳米据媒体报道，上海微电子装备SMEE股份有限公司创新技术，在之前90nm的基础上，宣布在2021年至2022年交付国产第一台28nm的immersion式光刻机虽然与当前主流荷兰的7nm芯片制备工艺还有大的差距，但也标志。

28纳米根据中国人民网显示，2023年中国已经成功研发出国产第一台28纳米nm光刻机，该光刻机预计在年底能够交付使用。

中国光刻机多少纳米量产

国产光刻机90nm蚀刻机达到了5nm水平，光刻机仍然是处于90nm水平，2018年时中科院的“超分辨光刻装备研制”通过验收，它的光刻分辨力达到22nm，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片但是这仅限于实验室阶段。

目前国产光刻机已经达到了七纳米水平，对于国外的五纳米还处在很大的前进进步阶段。