目前全世界最先进的制程还在3nm， 2nm的技术预计 2025年会投入商用所以预估最快2024年2纳米光刻机才会正式问世；目前商业化的投影光刻机overlay的精度已经达到了12nm，linewidth可达到510nm，但一般来说这些参数的精度与芯片工艺的要求有关在芯片制造过程中需要仔细把握每一环节，确保芯片制造的精度和可靠性影响光刻机精度的因素 1。

达到2nm相当于头发丝直径的三万分之一的运动精度由此奠定了光刻机超精密工件台技术在超精密机械制造与控制领域的最尖端地位，被称为超精密技术皇冠上的明珠这项目技术与公司的HNC8高性能数控系统，分辨率达到1纳米。

光刻机2纳米短视频

1、1性能，2nm芯片相比较5nm芯片性能来说，对EUV光刻机的依赖性更强，2nm芯片制造步骤要比5nm芯片少很多2功能，2nm芯片相比较5nm芯片功能来说，2nm芯片可以大大提高笔记本电脑的功能，从程序中更快的处理，到更容易。

2、1设计步骤方面2nm芯片相比较18nm芯片来说，对EUV光刻机的依赖性更强，2nm芯片制造步骤要比18nm芯片少很多，IBM的2nm芯片相比现在的18nm芯片，设计更为紧凑2性能方面2nm技术制造出来的芯片性能更优越，在相同的。

3、而对于光刻机，首先我们国家对于光刻机的技术还是很落后的，就算是国内技术含量最好恶毒光刻机也太能达到22nm，而与我们所研究出来的2nm芯片所要的光刻机根本不在一个档次了而目前我们想要研制出光刻机，并且我们国家。

4、特别是作为制造芯片的关键设备光刻机，目前我们所掌握的精度只能够是45纳米级别的，即便是28纳米的研发技术，我们都还在努力的研发之中。

5、三星光刻机早三星光刻机在2023年6月底已经实现3nm的量产，此后又完成了首批订单的交付，计划到2025年量产2nm芯片，2027年量产14nm芯片而台积电光刻机3nm制程将于2023年下半年量产，升级版3nmN3E制程将于2023年。

光刻机2nm被突破了吗

耗电光刻机lithography又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上光刻机都很费电，电费花销很大。