总之，光刻机利用的是脉冲激光对芯片进行刻蚀，而不是连续激光；用于生产芯片的光刻机是中国在半导体设备制造上最大的短板，国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口，本次厦门企业从荷兰进口的光刻机就是用于芯片生产的设备二工作原理 在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源；光刻机的曝光系统最核心的部件之一是紫外光源常见光源分为可见光g线436nm 紫外光UV，i线365nm 深紫外光DUV，KrF 准分子激光248 nm， ArF 准分子激光193 nm 极紫外光EUV，10 ~ 15 nm。

哈工大的euv光源只有01w以下这篇文章算是比较系统地论述了EUV光源的发展，结论也是正确的哈工大实际上掌握的是1998年美国Klosner研究组的DPP技术有一点需要补充，其实更严格地说现在第四代也快要出现了，技术原理上；荷兰ASML目前是世界上唯一的EUV光刻机供应商，每台EUV光刻机的价格都超过1亿美元，大功率EUV光源是EUV光刻机的核心基础目前ASML使用高能脉冲激光轰击液态锡靶以形成等离子体，然后产生波长为135纳米的EUV光源，功率约为25；第四代为步进式投影式光刻机，采用193nm波长的ArF氟化氩准分子激光光源，可实现制程推进到了65130nm第五代为EUV光刻机，选取了新的方案来进一步提供更短波长的光源3市场 目前全球光刻机市场被荷兰的ASML，日本的；是指在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程并不是单纯的激光，其曝光系统基本上使用的是复杂的紫外光源光刻机工作原理光刻机通过一系列的光源能量；duv光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米euv激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为135纳米3光路系统不同 duv主要利用光的折射原理其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水。

光刻机的最新消息如下1上微中科院走ASML路线，全程规避美规采用1X千瓦60Khz的超高重复频率二氧化碳激光打靶2广智院与华中科技大学，采用分时高功率光纤激光器射击液态锡靶的方式绕开超高功率超高重复频率。