1、很可惜的是我国在光刻机方面的研制工作，在长时间之内陷入了困境毕竟技术方面没有达到相应的标准，相当规格的工艺制造以及光刻机直径标准，都没有达到14纳米以下实现弯道超车比较困难我国一直来所擅长的便是实现弯道超车。

2、光刻机不是那么好制造的，可以说在美国断供华为之前，我们国内所掌握的自主能够造出来的最高的技术是14纳米这个技术升级个两代升级个三代可能能够满足我们基本的使用需求，高端的到5纳米左右的这个程度的芯片，根本不可能，就。

3、按照高端中端低端三个档次来划分的话，中国目前是属于第三档，正在努力的向第二档迈进高端光刻机市场被ASML垄断高端光刻机的市场目前只有ASML一家，也算是应了那一句话“无敌是多么，多么寂寞”有朋友习惯把ASML。

4、smee光刻机22纳米光刻机lithography又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上2018年11月29日，国家重大科研装备。

5、不要老是盯着光刻机，国产芯和美国芯的真正差距还是在专利和标准上！ 许多人认为中国的芯片制造工艺不行，的确目前国产的光刻机只能达到90nm的精确度，国内最好的芯片代工厂中芯国际的工艺水平也只在28nm14nm之间但是芯片厂商完全可以。

6、不过咱们不是一片空白从上游材料设备到中游设计制造，再到下游封测，我国半导体产业链各个环节的国产化发展和竞争也异常激烈事实上，半导体产业国产化的历程已经冲刺多年光刻机蚀刻机芯片设计芯片制造等各方面都在。

7、现在中芯可以做到28纳米，也是现在的主流机器，订单已经排期几年了，现在14纳米的也已经成功下线了，由于良品率太低，现在正在调试，明年肯定能批量生产了，然而这还不是我国最先进光刻，清华大学的双工台4nm光刻机早就完成。

8、就算大家可以研发出光刻技术，可是可以生产制造的精密度也是非常落伍的，他人可以生产制造的光刻技术在5纳米技术级别，而在我国现阶段也只不过是提升了14纳米技术的光刻技术，并且生产制造出去的集成ic特性也难以考虑如今集成ic的。

9、人要是没有了脑子，其他部位再怎么完整又有什么用呢，我们只具备自我研发能力却不具备制造能力卡住的，关键就是我们没有自己足够高精度的光刻机，据说国产的光刻机现在已经到了14纳米左右的进度，但是距离人家5纳米的还差太。