1、1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺1972年，武汉无线电元件三厂编写光刻掩模版的制造1977年，我国最早的光刻机GK3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机1978年，1445所在GK3的基础上开发；中国在发展光刻机方面的成功也促成了技术创新和国际产业分工的加强目前，中国已经能够自主开发生产一款全新的光刻机，并借此提高半导体产业的制造技术在未来，中国的光刻机技术还将继续提升，为推动半导体产业逐步向着智能化；而ASML也不是自己一家就能够完成，而是国际合作才能实现的其中，制造光源的设备来自美国公司镜片，则是来源于德国的蔡司公司等这也是全球技术的综合作用第二，中国进口最先进的光刻机，是7nm2018年，中芯国际向荷兰；SMEE光刻机研发成功的意义 上海微电子公司所研发的“SMEE光刻机”是一台性能堪比先进光刻机的制造设备，其光刻效果能够满足生产高质量的芯片这一研发的成功，也打破了美国市场对于中国光刻机的垄断，赢得了国内技术的独立与。

2、生产线和研发用的低端光刻机为接近接触式光刻机，分辨率通常在数微米以上主要有德国SUSS美国MYCRONXQ4006以及中国品牌光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动半自动全自动A手动指的是对准的调节方式；EUV光刻机是半导体制造中的核心设备，它使用极紫外光技术进行微细加工，能够实现芯片制造的高精度和高速度然而，全球EUV光刻机市场一直被荷兰ASML公司垄断，而中国EUV光刻机如何则备受关注目前，ASML公司所在的荷兰政府以及；国内唯一一台7nm光刻机在武汉弘芯中芯国际所采购的ASML光刻机设备，只能够实现14nm芯片量产，国内最先进的光刻机设备并不是中芯国际目前所使用的光刻机设备，而是武汉弘芯在2019年12月所购得的7nm光刻机，当时武汉弘。

3、提问者所说的中国光刻机达到世界先进水平，应该是指2018年11月29日通过验收的，由中国科学院光电技术研究所主导经过近七年艰苦攻关研制的“超分辨光刻装备”项目该项目下研制的这台光刻机是“世界上首台分辨力最高的紫；中国有自己的光刻机 由中国科学院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，这是世界上首台用紫外光实现了22nm分辨率的超分辨光刻装备，为纳米光学加工提供了全新的解决途径 在光电所。

4、中国有光刻机，位于我国上海的SMEE已研制出具有自主知识产权的投影式中端光刻机，形成产品系列初步实现海内外销售正在进行其他各系列产品的研发制作工作光刻机又名掩模对准曝光机曝光系统光刻系统等，是制造芯片的核心。