3光路系统不同duv主要利用光的折射原理其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nmeuv利用的光的反射原理，内部必须为真空操作极紫外光刻ExtremeUltraviolet；值得一提的是中芯的7nm制程使用的是DUV光刻机深紫外光7nm也是DUV能维持高良率的极限尽管理论上用多重曝光multiplepatterning可以做5nm工艺，但是良率会很低，无法盈利所以台积电的5nm技术节点N5，就。

光刻机顾名思义就是用光进行雕刻，而光的波长越短，光刻的刀锋越锋利，刻蚀出的芯片精度就越高DUV光刻机用的是193nm深紫外光，一般可用来雕刻130nm到22nm的芯片，而中国在这方面有黑 科技 ，理论上能将其极致推到；中芯在去年已经成功开始量产14NM芯片，7NM芯片还在在加速研发，问题是7NM以上的工艺用DUV光刻机就可以生产，而7NM以下的工艺需要用引入极紫外光EUV的光刻技术 目前全球只有荷兰的ASML公司能生产EUV光刻机，中芯国际在2018年就从ASML订；就算是没有EUV光刻机，能卖到ASML公司生产的DUV光刻机也是不错的，这一光刻机可以生产14nm工艺，乃至28nm工艺的芯片，而这些芯片才是目前芯片市场上最紧缺的产品，有了光刻机以后，中芯国际就能扩大自己的产能了值得一；DUV光刻机可以用来生产12纳米的芯片，最多可以生产7纳米的芯片但是EUV光刻机可以生产5纳米芯片，甚至可以用来生产3纳米工艺的芯片因此，ASML公司卖给中国光刻机，首先是为了利益2占领更多的市场 ASML公司卖给中国光刻；5纳米5nm光刻机的原意应该是可以实现5纳米制程的光刻机，是EUV极紫外线光刻机EUV使用了135纳米的极紫外线激光源，比193纳米深紫外线光源的DUV光刻机能力更强纳米符号nm，即为毫微米，是长度度量单位1；上海微电子光刻机在国内是最先进的光刻机研发制造企业，其前道光刻机能够实现90nm制程，在国内市场份额超过80%，并且也销往国外但与国际先机光刻机相比，上海微电子光刻机却处于低端光刻机序列 目前光刻机市场几乎被荷兰ASML日本。

1基本上duv只能做到25nm，而euv能够做到10nm以下晶圆的生产2 duv主要使用的是光的折射原理，而euv使用的光的反射原理，内部必须是真空操作以上就是duv光刻机和euv光刻机区别了，现在基本都是euv光刻机。

5nm芯片无需光刻机中国科技公司已申请制造专利9月15日，一家中国科技公司申请的“5纳米芯片制造的直接蚀刻方法”专利正式公布该发明涉及芯片设计及制造这项发明的亮点在于，不用EUV光刻机或DUV光刻机，不需要光刻。