1、替代光刻机的技术有纳米压印光刻NIL电子束光刻机EBL自组装光刻1纳米压印光刻NIL先在模具上刻上纳米电路的图案，再把这个图压在硅片的感光材料上，同时用紫外线照射，就能完成转印，这种方式可以达。

2、NIL光刻机相对于EUV光刻机来说，光源的成本更低，不需要使用昂贵的EUV激光源同时，NIL光刻机使用一些DUV或者更成熟的光源结合纳米涂层的方法，可以实现一至两纳米制程的量产，具有较高的制程精度和生产效率尽管NIL光刻。

3、况且，就算是比亚迪做晶圆代工，用最快的速度就赶上了中芯国际，研制出7NM工艺，比亚迪也没有高端的EUV光刻机用于生产目前高端的EUV光刻机是荷兰ASML公司生产的，包括台积电也没有生产高端光刻机的能力，台积电和三星都是。

4、至于7nm的光刻机那就更不用说了，光刻机的技术含量要比晶圆代工技术含量更高，目前光刻机是全球技术含量最高最复杂的一个设备之一，一台高端光刻机由几万个零部件构成，这些零部件本身每一个技术要求都非常高，而目前有很多零部件国外是。

5、网传比亚迪要取代富士康，请问比亚迪能造7nm的芯片，能买到7nm的光刻机吗在代工领域，比亚迪虽然也是强大，但确实是无法与富士康相提并论或者是取代但在芯片设计制造领域，这两家目前都算不上特别强，也谈不上谁取代谁的。

6、而英特尔使用DUV光刻机亦能制程16nm性能达到10nm工艺的芯片高通也是集中全力设计发展5nm的骁龙芯片但美国芯片制造没有与设计同步得到相应提升，仍须依赖台积电三星等代工企业生产才能完成高端芯片的制造我国华为芯片设计。

7、例如华为被无故制裁事件，例如光刻机被针对限制购买事件 面对美国在芯片方面的“卡脖子”，我国一直深入科研，加大投入，追赶抢先 眼看着我国半导体芯片的国产替代事业蒸蒸日上，美国方面又坐不住了，开始出来“作妖”。

8、电火花加工机床当然不能取代光刻机，很多光刻机的功能，电火花加工机床都完成不了。

9、高端的电子芯片需要使用高精度EUV光刻机，在硅晶圆上刻出芯片线路，还要集成上百亿的晶体管而光子芯片是使用光波来作为信息传输和数据运算的载体，因此不需要高精度的光刻机，我国目前现有的光刻机水平也能满足基本需求光。