1、是指光刻机的曝光系统 常见光源分为紫外光UV，g线436nmi线365nm 深紫外光DUV，KrF 准分子激光248 nm， ArF 准分子激光193 nm 极紫外光EUV，10 ~ 15 nm。

2、2纳米还是构想或许在先进实验室有原理能实现它，市面上并无能够商用的“光刻机”目前全世界最先进的制程还在3nm， 2nm的技术预计 2025年会投入商用所以预估最快2024年2纳米光刻机才会正式问世。

3、一切光刻机的核心零件是围绕光源来的，根据光源的改进，光刻机一共可以分为5代，分别是最早的436纳米光刻机，然后第二代是365纳米波长，第三代是248纳米，第四代是193纳米波长，第五代是135纳米波长的EUV光刻机。

4、为7纳米芯片生产线供应刻蚀机中微半导体如今通过台积电验证的5纳米刻蚀机，预计能获得比7纳米更大的市场份额中科院SP超分辨光刻机 提问者所说的中国光刻机达到世界先进水平，应该是指2018年11月29日通过验收的，由中国。

5、中国日本荷兰在能够制造机器的这几家公司中，尤其以荷兰ASML技术最为先进价格也最为高昂光刻机的技术门槛极高，堪称人类智慧集大成的产物目前在全球45纳米以下高端光刻机市场当中，荷兰ASML市场占有率达到80%。

6、现在上海微电子已突破了28纳米光刻机，华为挖了很多光刻机方面的工程师，即直接可以28纳米起步 1资金方面华为有1400亿现金储备，如果这两年暂不分红，华为现金储备可轻易达到2000～3000亿，投入1000亿，资金方面不是问题 2人才方面。

7、做做液晶面板，滤波器件，图像传感器，28纳米光刻机足够了28纳米最低能做7纳米芯片，日本有28纳米光刻机，还担心什么？ 我们今年能够突破28纳米光刻机，如果我们不做手机SOC芯片，我们也不必担心了但我们没有理由放弃手机芯片，所以我们必。

8、3纳米，是指节点技术的关键尺寸，而这个尺寸不是芯片能用肉眼看到的几何尺寸一般是毫米到厘米级别，而一般是指栅极长度gate length这个长度是又掩膜版上定义好的尺寸决定的，而在生产过程中决定性的由光刻机来实现。

9、它的工作原理其实就是按照物理来工作的原理，其实就是有机械力的推动，然后有一些独立可以促进他们的复刻，然后再进行运转。

10、14nm根据穆峰数码网查询得知，光刻机又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。