一般来说是用激光比如说要在玻璃上刻蚀图形，大致步骤为清洗玻璃干燥在玻璃上涂覆光致抗蚀剂即光刻胶有正性和负性之分干燥固化曝光方式很多，如激光直写通过掩模板同时曝光等去胶光刻胶。

而自己掌握核心技术有多重要自然不言而喻，在突破关键领域以后，更高阶的光刻机的研发速度只会越来越快国产光刻机突破封锁，成功研制22nm光刻机，中国芯正在逐渐崛起高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机。

芯片一般主要含义是作为一种载体使用，并且集成电路经过很多道复杂的设计工序之后所产生的一种结果 曝光区域Shot先进步进扫描式光刻机所能支持的最大曝光区域exposure field面积是26mm×33mm步进式光刻机stepper的。

其分为两种，一种是模板与图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴晶圆另一种是利用短波长激光和类似投影机原理的步进式光刻机stepper或扫描式光刻机scanner，获得比模板更小的曝光图样。

不会20世纪50年代，美国已经有了自己的接触式光刻机，一年后，又推出了自动步进式光刻机同样，日本的光刻机也不远我国1978年在gk3的基础上发展了gk4，自动化程度有所提高，但仍没有摆脱接触式光刻机粗略地。

您说的应该是EUV掩膜式光刻机一般来讲，光刻机可粗略分成掩膜式步进式Stepper和扫描式Scanner和直写式无掩膜光刻机两种直写式光刻机目前被用于半导体IC生物芯片光电芯片及其他小规模生产及科研对于32纳米或以下。

光刻机Mask Aligner 又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment SystemPhotolithography光刻 意思是用光来制作一个图形工艺在硅片表面匀胶，然后将掩模版。

基于先进的步进光刻机平台技术，提供覆盖后道IC封装MEMSNEMS制造的步进投影光刻机该系列光刻机采用高功率汞灯的ghi线作为曝光光源，其先进的逐场调焦调平技术对薄胶和厚胶工艺，以及TSV3D结构等具有良好的自动适应性，并通过采用具有。

它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类1高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米。