duv光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米euv激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为135纳米3光路系统不同 duv主要利用光的折射原理其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水。

3光路系统不同duv主要利用光的折射原理其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nmeuv利用的光的反射原理，内部必须为真空操作极紫外光刻ExtremeUltraviolet。

极紫外光刻是一种使用极紫外波长的下一代光刻技术，其波长为135纳米，预计将于2020年得到广泛应用几乎所有的光学材料对135nm波长的极紫外光都有很强的吸收，因此，EUV光刻机的光学系统只有使用反光镜。

荷兰ASML公司的极紫外光刻机EUV是现在全球最顶尖的光刻机设备，相较于DUV，它把193nm的短波紫外线替换成了135nm的极紫外线，能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸EUV光刻机的光源来自于美国的Cymer，这个135。

duv光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米euv激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为135纳米3光路系统不同 duv主要利用光的折射原理，其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水。

目前，光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机DUV是深紫外线，EUV是非常深的紫外线DUV使用的是极紫外光刻技术，EUV使用的是深紫外光刻技术EUV为先进工艺芯片光刻的发展方向那么duv光刻机和euv光刻机区别是是什么呢。

1光刻机可以分为用于生产芯片用于封装和用于LED制造按照光源和发展前后，依次可分为紫外光源UV深紫外光源DUV极紫外光源EUV，光源的波长影光刻机的工艺光刻机可分为接触式光刻直写式光刻投影式。

一光刻机的种类有哪些1接触式曝光ContactPrinting掩膜板直接与光刻胶层接触曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单接触式，根据施加力量的方式不同又分为软接触，硬接触和真空接触1软接触。

90纳米光刻机在国内市场已经占据了很大的份额，这是国产光刻机取得的进步但在代表光刻机技术水平的晶圆制造光刻机方面，上海微封装可以生产90nm工艺的光刻机，这是国内光刻机的最高水平，而ASML现在已经量产了7nm工艺。