中国有光刻机，位于我国上海的SMEE已研制出具有自主知识产权的投影式中端光刻机，形成产品系列初步实现海内外销售正在进行其他各系列产品的研发制作工作光刻机又名掩模对准曝光机曝光系统光刻系统等，是制造芯片的核心。

除了在核心问题上取得突破外，这段时间国产光刻机制造领域更是好消息频出前段时间上海微电子装备有限公司对外宣称，预计在2021年底或2022年初实现28纳米精度的光刻机的量产在国际方面，中国也着眼于国际光刻机制造领域，在力争跟紧国际研。

因为目前我国的芯片制造实力整体相对比较差，比如我们生产芯片所需要的光刻机仍然严重依赖进口，虽然国内也能够生产光刻机，但是目前我们所生的光刻机最先进也只不过是28纳米，这跟国际顶尖巨头asml的7纳米仍然有很大的差距。

这从另一个侧面说明，上海微电子在国内光刻机领域，是唯一有希望进行更高端光刻机研发的企业，因此它的地位是无法替代的 值得一提的是，从相关渠道了解到，上海微电子正在02专项的支持下，进行28纳米前道光刻机的研发，已经取得了很大的。

现在中芯可以做到28纳米，也是现在的主流机器，订单已经排期几年了，现在14纳米的也已经成功下线了，由于良品率太低，现在正在调试，明年肯定能批量生产了，然而这还不是我国最先进光刻，清华大学的双工台4nm光刻机早就完成。

中国的半导体芯片是28纳米与10纳米相比差3代，具体是28nm20nm14nm10nm这样几代以中芯国际为代表的中国大陆晶圆制造厂商已量产的最先进制程为28纳米，与全球先进主流制程1614纳米和即将问世的10纳米相比相差23代过。

在加之中国很多技术是先用于军事方面，所以我就在想中国肯定在军事方面已经拥有了65甚至28纳米的光刻机技术只是还没有向民用方面转用1华为需要75nm EUV，DUV用处不大 2这个光刻机肯定签订了附加条款，不能给中国。

我国在制造光刻机时还面临其他难题首先就是光刻机领域科研实力不够我国科研发展起步较晚，在光刻机领域研发水平十分落后，研发初期简直是毫无头绪，科研人员也是无从下手，不过我国目前在研发制程约为28纳米的光刻机。

国家能够给予的支持也已经比较大，但是一个国家运转也不是靠着光刻机这一个东西所以说这个领域是不是能够成功破局，还是要看高精尖的科研人士的努力和中国外交方面的一些突破生产光刻机，构建芯片生产链条从来就不能看作。

为纳米光学加工提供了全新的解决途径在光电所的努力下，中国的光刻机研制跳出了缩小波长增大数值口径来提高分辨力的老路子，为突破22nm甚至10nm光刻节点提供了一种全新的技术，也为超分辨光刻装备提供了理论基础。