独立研发光刻机对我国意味着科技上打破西方国家的垄断，改变中国高新技术被国外封锁的局面，同时可以推动国家自主芯片的研发进展目前世界上光刻机研发，由荷兰美国日本这三个国家掌握技术，根本不会对外开放也不会对外公布；光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上的图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用这就是光刻的作用，类似照相机照相照相机拍摄的照片是印在。

首先，光是电磁波，不是机械波光的振幅不是指空间上的振动，而是电场磁场强度的交替变化所以光的干涉发生与否和振幅并没有关系，有关的是相位然后限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效应当光刻图样的尺寸与激光波长；光刻机的主要性能指标有1支持基片的尺寸范围，分辨率对准精度曝光方式光源波长光强均匀性生产效率等2分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式3光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以；光斑的分辨率和波长成反比所以要想高质量的曝光更小特征尺寸的结构要选择更短波长的光源，比如选用近紫外，极紫外的光源来制造光刻机当然曝光的效果也和振幅曝光剂量有关，只是波长是限制曝光精度的最主要因素；按照光源和发展前后，依次可分为紫外光源UV深紫外光源DUV极紫外光源EUV，光源的波长影光刻机的工艺光刻机可分为接触式光刻直写式光刻投影式光刻2原理接近或接触式光刻通过无限靠近，复制掩模板；光刻机采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上那么光刻机性能指标是什么呢1 光刻机的主要性能指标有支持基片的尺寸范围，分辨率对准精度曝光方式光源波长光强均匀性生产。

光刻机波长固定在几个波长，是为了提高光刻机检测的精度，不固定的话，会十分的麻烦去反复调换波长，会使机器受到损坏。

辐射指的是由场源发出的电磁能量中一部分脱离场源向远处传播，而后不再返回场源的现象辐射分为电离辐射和非电离辐射，光刻机的紫外光源为非电离辐射紫外辐射是一种非照明用的辐射源紫外辐射的波长范围为10纳米至400。