光刻机是芯片制造流程中，光刻工艺的核心设备光刻机Mask Aligner，又名掩模对准曝光机曝光系统光刻系统等，是制造微机电光电二极体大规模集成电路的关键设备光刻机的主要性能指标有支持基片的尺寸范围，分辨。

光刻机Mask Aligner 又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment SystemPhotolithography光刻 意思是用光来制作一个图形工艺在硅片表面匀胶，然后将掩模版；一用途 光刻机是芯片制造的核心设备之一，按照用途可以分为好几种有用于生产芯片的光刻机有用于封装的光刻机还有用于LED制造领域的投影光刻机用于生产芯片的光刻机是中国在半导体设备制造上最大的短板，国内晶圆；半导体设备系列光刻机是半导体工业中的“皇冠”1原理 光刻是指光刻胶在特殊波长光线或者电子束的作用下发生化学变化，通过后续曝光显影刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜版上的图形转移到衬底上的图形精细加工技术激。

1光刻机Mask Aligner 又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上2生产集成电路的简要步骤利用模版去除晶圆；一般来讲，光刻机可粗略分成掩膜式步进式Stepper和扫描式Scanner和直写式无掩膜光刻机两种直写式光刻机目前被用于半导体IC生物芯片光电芯片及其他小规模生产及科研对于32纳米或以下技术，EUV光掩膜过于昂贵，直写；光刻机工作原理光刻机通过一系列的光源能量形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，不同光刻机的成像比例不同，有51，也有41然后使用化学方法。

1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺清华大学研制第四代分部式投影光刻机，并在1980年获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平而那时，光刻机巨头ASML还没。