中国光刻机历程 1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺清华大学研制第四代分部式投影光刻机，并在1980年获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平而那时，光。

光刻机Mask Aligner 又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment SystemPhotolithography光刻 意思是用光来制作一个图形工艺在硅片表面匀胶，然后将掩模版。

光刻机MaskAligner又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫MaskAlignmentSystem。