1、主要应用在制造一些微纳米级的半导体器件或是生物医药的微器件等领域，凭借其高精度高效率高速度的优势，得到相关领域专家的认可接近式光刻机，又称非接触式光刻；duv光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米euv激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为135纳米3光路系统不同 duv主要利用光的折射原理其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使。

2、光刻机又名掩模对准曝光机曝光系统光刻系统等，是制造芯片的核心装备它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上光刻机的种类可分为接触式曝光接近式曝光投影式曝光光刻机；常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System是指在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程并不是单纯的激光，其曝光系统基本上使用的是复杂的；区别1 工作原理接近式光刻机是通过将掩模与光刻胶直接接触，然后使用紫外光照射来进行图案转移而步进式光刻机是通过将掩模与光刻胶分开，然后使用光束扫描的方式进行图案转移2 精度接近式光刻机通常具有较高的。

3、高精准，速度快1高精准接近式光刻机的优点包括高精度高速度和高效率2速度快步进式光刻机的优点是，它能够快速高效地制作出多份相同的图案；第四代为步进式投影式光刻机，采用193nm波长的ArF氟化氩准分子激光光源，可实现制程推进到了65130nm第五代为EUV光刻机，选取了新的方案来进一步提供更短波长的光源3市场 目前全球光刻机市场被荷兰的ASML，日本的；水是介质在浸刻式光刻机中，水是介质，让193nm波长的光线，进入水中进行折射后，让波长变成132纳米，实现从45nm10nm级别的光刻，所以浸刻式光刻机用水；1接触式光刻机 接触式光刻机是最早出现的光刻机，它的曝光方式是将掩模与硅片直接接触，然后通过紫外线曝光将图案转移到硅片上这种光刻机的优点是曝光精度高，但缺点是掩模容易磨损，且只能进行单层曝光2非接触式。

4、其分为两种，一种是模板与图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴晶圆另一种是利用短波长激光和类似投影机原理的步进式光刻机stepper或扫描式光刻机scanner，获得比模板更小的曝光图样光刻机分类 光刻机。