中国光刻机距离世界先进水平，还有较大的差距第一，目前全球最先进的光刻机，已经实现5nm的目标这是荷兰ASML实现的而ASML也不是自己一家就能够完成，而是国际合作才能实现的其中，制造光源的设备来自美国公司镜片；尽管国产光刻机精度只有90nm，非常落后，但还是很有存在的必要不管是从用户的角度，还是产业的角度，抑或国家的层面，90nm的国产光刻机，都必须存在国产光刻机制程精度不高，不是取消或者淘汰国产光刻机的理由如果我们。

反映到光刻机上就意味着它投射到晶圆上的尺寸越小EUV光刻机代表了大厂在先进制程方面的领先性，目前只有荷兰ASML一家能够提供可供量产用的EUV光刻机各大Foundry厂和IDM厂在7nm以下的最高端工艺上都会采用EUV光刻机；目前可以实现7nm 制程的只有台积电和三星两家，三星是从一开始就使用EUV光刻机来实现，而台积电则是从DUV开始实现，然后再转向EUV 也就是说，目前7nm 制程工艺使用DUV 和 EUV 都是可以实现的，下面就DUV 和 EUV 两种设备的实现方法分别。

光刻机制程节点指什么?

5纳米5nm光刻机的原意应该是可以实现5纳米制程的光刻机，是EUV极紫外线光刻机EUV使用了135纳米的极紫外线激光源，比193纳米深紫外线光源的DUV光刻机能力更强纳米符号nm，即为毫微米，是长度度量单位1。

蚀刻机和光刻机其实就是完全不同的两种设备，不论从功能还是结构上来说都是天差地别，光刻机是整个芯片制造过程中最为核心的设备，芯片的制程是由光刻机决定的，而不是蚀刻机具体如下1工作原理如果把制造芯片。

型号NXE3400C类型极紫外光刻机制程7纳米和5纳米效率1小时170片，目前地球上最强的光刻机。

光刻机制程有哪些

为7纳米芯片生产线供应刻蚀机中微半导体如今通过台积电验证的5纳米刻蚀机，预计能获得比7纳米更大的市场份额中科院SP超分辨光刻机 提问者所说的中国光刻机达到世界先进水平，应该是指2018年11月29日通过验收的，由中国。

这22nm制程的光刻机技术，应该很快就会能够量产，但是与世界主流的先进技术还是相差甚远，而且22nm的芯片，只能应用到一些不太复杂的科技产品上，比如老年手机等等所以现在我国在光刻机这块是落后于世界先进水平好几代的当前。