3制造精度不同二者在精度上也相差甚远，DUV基本上只能做到25纳米，Intel凭借双工作台的模式做到了10纳米，但是却无法达到10纳米以下只有EUV能满足10纳米以下的晶圆制造，并且还可以向5纳米3纳米继续延伸光刻机工艺；比较厉害1高集成度035纳米的最小工艺可以制造出非常小的芯片线宽，从而实现更高的集成度，使得芯片可以容纳更多的晶体管和电路，提高了芯片的性能和功能2低功耗035纳米的最小工艺可以制造出更小的晶体管。

光刻机的工作原理是通过一系列的光源能量形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图一般的光刻工艺要经历；光刻机对准工艺需要的是集成电路的配合，对于集成电路来说，制作工序本身就是一个相对复杂的过程，光刻机制作工艺的具体工艺为硅片制备清洗硅片地膜沉积旋转涂膜进行软烘操作光刻机对准和曝光烘焙进行显影；光刻是集成电路最重要的加工工艺，他的作用，如同金工车间中车床的作用光刻是制造芯片的最关键技术，在整个芯片制造工艺中，几乎每个工艺的实施，都离不开光刻的技术光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动半自动全。

它既可以自主研发又可以制造芯片，基本上垄断了行业芯片但是反观中国目前的光刻机仍不能达到制作高端芯片的要求，技术还很落后一如今国内光刻机能达到多少纳米的工艺制作查询官网可以知道，如今最先进的光刻机是600系列。

而三星在今后可能真的只有哭的份了所以光刻机的工艺水平将直接决定芯片的制程水平和性能水平，而我们从前面的介绍也可以看到，光刻机只是整个芯片制造的其中一环，当然它也是最重要的一环，但想要完成光刻机的设计与制造；光刻机Mask Aligner 又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment SystemPhotolithography光刻 意思是用光来制作一个图形工艺在硅片表面匀胶，然后将掩模版。