1、笫一代光刻机是436纳米一切光刻机的核心零件是围绕光源来的，根据光源的改进，光刻机一共可以分为5代，分别是最早的436纳米光刻机，然后第二代是365纳米波长，第三代是248纳米，第四代是193纳米波长，第五代是135。

2、DUV光刻机可以用来生产12纳米的芯片，最多可以生产7纳米的芯片但是EUV光刻机可以生产5纳米芯片，甚至可以用来生产3纳米工艺的芯片因此，ASML公司卖给中国光刻机，首先是为了利益2占领更多的市场 ASML公司卖给中国光刻。

3、它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几微米之间，高端光刻机号称世界上最精密。

4、中科院光子芯片，并没有等研发周期较长的光刻机根据媒体报道，中科院郭光灿院士团队传来消息，表示在光量子芯片领域取得了重要进展，该团队与中山大学浙江大学等研究组进行合作，基于光子能谷霍尔效应一中国芯片备受美国。

5、1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺1972年，武汉无线电元件三厂编写光刻掩模版的制造1977年，我国最早的光刻机GK3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机1978年，1445所在GK3的基础上开发。

6、目前已经商用的最先进机型是Twinscan NXT 1950i，属于沉浸式光刻机，用来生产关键尺度低于38纳米的集成电路 目前市场上提供量产商用的光刻机厂商有三家ASML， 尼康Nikon，佳能Canon 根据2007年的统计数据，在中高端光刻机市场，ASM。

7、它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几。

8、时间应该不会太久，加油自己，加油中国人目前我国能生产光刻机的企业有5家，最先进的是上海微电子装备有限公司，光刻机量产的芯片工艺是90纳米，目前正在向65纳米迈进，而国外最先进的是5纳米，正在向3纳米迈进，这中间。