1、中国现在能做14nm芯片 14nm并不是停在实验室里面的研发，也不是投产，而是规模量产此外90nm光刻机5nm刻蚀机12英寸大硅片国产CPU5G芯片等也实现突破此次14nm虽然量产，但其实与国际水平还有着较大的差距，尤其是光刻机；5纳米根据查询光明网显示，截止时间2023年10月2日，世界光刻机釆用finfet工艺，能做到5nm以下光刻机又叫掩模对准曝光机曝光系统光刻系统等，是制造芯片的核心装备；国产光刻机90nm蚀刻机达到了5nm水平，光刻机仍然是处于90nm水平，2018年时中科院的“超分辨光刻装备研制”通过验收，它的光刻分辨力达到22nm，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片但是这仅限于实验室阶段。

2、5nm激光光刻技术，预示着我们即将能取代ASML，但是5nm激光光刻技术还未安全成熟，因此还是要用ASML技术；2发展历程 光刻机发展至今，已经历了5代产品的迭代在1985年之前，第一代光刻机光源以436nm的gline汞灯光源为主，只适用于5μm以上制程之后出现了365nm的iline汞灯光源的第二代光刻机，制程精度来到了350500；月初一条“中科院5nm激光光刻技术突破”的新闻火了，在很多无良自媒体的口中这则新闻完全变了味，给人的感觉像是中国不久将会拥有自己的5nm光刻机，其实真实情况完全不是一回事下面我们就来谈谈这则新闻真实的内容到底是。

3、我们国内确实是既难买又难造高端的光刻机，包括7纳米的和5纳米的，当前就是在这最后的一个端上陷入了现实的两难处境，短期内不可能脱离，是个长期性的现实 只要成功研发出了高端的制造技术，难造就会变成易造了只要即将成功制造出高端。

4、还有一些光刻胶是针对汞灯特殊的能量峰值设计的，汞灯有3个能量峰值，它们对应的波长分别是365 nm405 nm和436 nm这3个波长也被相应称为I线H线和G线光刻机通常使用滤波器只允许G线或I线通过I线光成为。