duv主要利用光的折射原理，其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nmeuv利用的光的反射原理，内部必须为真空操作euv基本介绍 euv光刻采用波长为1014纳米的极紫外光作为；国产光刻机90nm蚀刻机达到了5nm水平，光刻机仍然是处于90nm水平，2018年时中科院的“超分辨光刻装备研制”通过验收，它的光刻分辨力达到22nm，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片但是这仅限于实验室阶段。

也就是说，我们的国产光刻机目前可以做到90纳米工艺之前有网友爆料，上海微电子将于2020年12月下线首台采用ArF光源的SSA80010W光刻机，这是一台国产浸没式DUV光刻机，可实现单次曝光28nm节点所以网络里一直流传着这个。

独立研发光刻机对我国意味着科技上打破西方国家的垄断，改变中国高新技术被国外封锁的局面，同时可以推动国家自主芯片的研发进展目前世界上光刻机研发，由荷兰美国日本这三个国家掌握技术，根本不会对外开放也不会对外公布；10纳米据etnews报道，其位于韩国利川的M16工厂的EUV光刻机，可以量产10nm，1a的DRAM的，所以韩国光刻机能造10纳米的东西光刻机是一种用于制作微电子元件的半导体制造设备，使用一种特殊的激光来制造微小的模式和图案，以；光刻机使用寿命为十年一台光刻机的寿命也不仅仅在于一两代芯片，用193nm深紫外光刻机也是可以做到10nm乃至7nm芯片的生产的，只是工艺难度实现起来相对复杂，成本较高，比如采用自对准四次成型技术，就可以得到更加致密的结构。

从制程范围方面来谈duv基本上只能做到25nm，凭借双工作台的模式做到了10nm，却无法达到10nm以下euv能满足10nm以下的晶圆权制造，并且还可以向5nm3nm继续延伸duv主要利用光的折射原理其中，浸没式光刻机会在投影透镜；10纳米芯片用1v1v光刻机，光刻机在14纳米以下制程属于高端制程，而10纳米在14纳米以下，需要用的是1v1v光刻机和euv135纳米极紫外光光源光刻机。